題組內容

五、圖五的電路中，nMOS 電晶體的基底（substrate）接至 0 V，閘極連到 VDD（5 V）， 並假設 IDS 電流為 0.9 mA。此 nMOS 電晶體的參數如下：μnεn/tox = 90 μA/V2 、 W/L=100、臨界電壓 Vth（n）= 0.8 V + 0.2 Vsb，其中 Vsb是源極與基底間的電壓，用來 代表 body effect。

⑵當 VD為 3 V 時，nMOS 電晶體的操作區域為何？求輸出電 壓 VS。（6 分）