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99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：高等電子電路學（包括類比與數位）#27564
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申論題
試卷：99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：高等電子電路學（包括類比與數位）#27564
科目：電路學
年份：99年
排序：0
申論題資訊
試卷：
99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：高等電子電路學（包括類比與數位）#27564
科目：
電路學
年份：
99年
排序：
0
題組內容
五、圖五的電路中，nMOS 電晶體的基底（substrate）接至 0 V，閘極連到 VDD（5 V）， 並假設 I
DS
電流為 0.9 mA。此 nMOS 電晶體的參數如下：μ
n
ε
n
/t
ox
= 90 μA/V
2
、 W/L=100、臨界電壓 V
th（n）
= 0.8 V + 0.2 V
sb
，其中 V
sb
是源極與基底間的電壓，用來 代表 body effect。
申論題內容
⑵當 V
D
為 3 V 時，nMOS 電晶體的操作區域為何？求輸出電 壓 V
S
。（6 分）
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