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半導體工程
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109年 - 109 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#87101
> 申論題
三、假設 p-型半導體中其多餘電子濃度(excess electron concentration, δn)符 合低階注入(low injection)之條件,請列出其一維雙極性傳輸方程式 (ambipolar transport equation)之表示式,並說明其物理意義。(10 分)
相關申論題
⑴請說明其形成整流接觸(rectifying contact)之條件,並繪出其能帶圖。 (10 分)
#352833
⑵請說明其形成歐姆接觸(ohmic contact)之條件,並繪出其能帶圖。 (10 分)
#352834
⑴此 pn 接面之逆向飽和電流密度 Js =?(8 分)
#352835
⑵若 pn 接面之外加順向偏壓 Va = 0.65 V 時,其電流密度=?(7 分)
#352836
⑴電子遷移率 μn =?(8 分)
#352837
⑵臨界電壓 VT =?(7 分)
#352838
⑴試指出乾式蝕刻技術(dry etching)為等向性(isotropic)蝕刻或非等 向性(anisotropic)蝕刻?(5 分)
#352839
⑵假設將 1 μm 厚的鋁(Al)薄膜沉積在平坦的場氧化層(field oxide layer) 上,先以光阻在其上定義圖案後,再施以電漿蝕刻製程。已知鋁對於 光阻之蝕刻選擇比維持在 3,假設有 30%的過度蝕刻,試問在確保鋁 金屬上表面不被侵蝕之條件下,所需的最薄光阻厚度為何?(15 分)
#352840
一、假如您是某公務機關公有宿舍承辦人,請問您在那些情況下得終止宿舍 借用契約?(25 分)
#352841
⑴請問您排班時需要考量那些限制?(10 分)
#352842
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