二、請畫出如何利用霍爾效應量測載子濃度之架構圖，並以 n 型半導體為例說明如何量測載子濃度。（10 分）

四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction)，其 NA=2×1019 cm-3， ND=1×1016 cm-3，請計算其二極體之內建電壓(Vbi)，空乏區(W)，接面電容(在 0V 時) 。 Note：矽本質濃度 9.65×109 cm-3，介電常數 11.7。（12 分）