申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39986
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

題組內容

一、理想矽pn二極體，p區摻雜濃度N_a = 8×10¹⁴ cm^-3，n區摻雜濃度N_d = 4×10¹⁴ cm^-3，矽之介電係數ϵ_si = 11.7 ϵ_o，其中ϵ_o = 8.85×10^-14 F/cm，在p區之空乏區寬度為W_p，在n區之空乏區寬度為W_n，常溫下 1 kT/q = 0.0259 V，矽之本質載子濃度為 n_i = 1.5×10¹⁰ cm^-3。

申論題內容

⑵在反偏壓V_R = 3V之空乏區總寬度為W(3V)，在V_R = 2V之空乏區總寬度為W(2V)，請求出W(3V)/ W(2V) =？（10 分）