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基本電學(概要)
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101年 - 101 原住民族特種考試_四等_電子工程：基本電學#44600
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題組內容
二、
⑵試求圖三電路之等效電感值L
T
。（10 分）
其他申論題
七、2011 年 3 月日本福島電廠發生事故，請簡述你所了解的原因，為何核反應器已經停 機，核分裂也已停止，還會發生燃料熔解的事故？闡述你認為對未來核能發電的發 展影響。（10 分）
#147461
⑴設一跨接於 8 μF 電容器上的電壓值如圖一所示，試求通過此電容器之電流值。 （10 分）
#147462
⑵若在 1 ms 之內，磁通量均勻變化而感應的線圈電壓為 100 V，當相同的磁通量改 變發生在 0.1 秒內，則將產生多少感應電壓？（10 分）
#147463
⑴下圖二，當開關S在t=0 閉合且電路已達穩態後，求電源電流IT之值。（10 分）
#147464
【已刪除】三、有一電路如圖四所示，試求出 6 Ω 電阻器所吸收之功率。（20 分）
#147466
【已刪除】四、試求圖五中，電壓 V(t)之值為多少？（20 分）
#147467
【已刪除】五、試求圖六 a、b 兩端點左側電路之戴維寧等效電路及電流相量 I 之值。（20 分）
#147468
一、請說明二極體在 p-n 接面之空乏區（depletion region）如何形成？同時說明二極體加 順向偏壓及反向偏壓時空乏區之變化。（20 分）
#147469
二、假設NMOS元件在閘極及源極加適當VGS 電壓，同時在汲極及源極加適當VDS 電壓 ，讓元件導通於三極管區（triode region），然後VDS再增加時，其IDS電流的變化為 何？同時說明其原因。（20 分）
#147470
⑴Q1及Q2之gm和ro之值。（10 分）
#147471
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