題組內容

二、由 p 型砷化鎵（GaAs）半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky ，假如金的功函數（work function, qφm）為 4.8 eV，砷化鎵的電 junction） 子親和力（electron affinity, qχSC）為 4.07 eV，砷化鎵的能隙（Eg）為 1.42 eV，砷化鎵的功函數（work function, qφSC）為 5.47 eV。

⑵請繪出此蕭特基接面的能帶圖，並指出此蕭特基接面的能障與內建電 位的位置處。 （10 分）