阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
104年 - 104 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39446
> 申論題
申論題
試卷:104年 - 104 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39446
科目:半導體工程
年份:104年
排序:0
申論題資訊
試卷:
104年 - 104 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39446
科目:
半導體工程
年份:
104年
排序:
0
題組內容
五、TEOS(tetra-ethyloxy-silane)oxide 常使用於 PMD(premetal dielectric)及 IMD (intermetal dielectric),若不加其他摻雜物稱為 USG(undoped silicate glass), 請說明:(每小題 5 分,共 15 分)
申論題內容
⑵ BPSG 用途為何及需摻雜何種元素。