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申論題資訊

試卷:99年 - 99 高等考試_二級_電子工程:電子元件#46323
科目:電子元件
年份:99年
排序:0

題組內容

二、一個 N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的 MOS 電容器內,當基板摻雜濃度減少時,請 說明下列各參數有何變化,並簡單解釋。(每小題 4 分,共 20 分)

申論題內容

⑶反轉區電容。