⑴請推導矽薄膜之生成速率表示式（r_Si）。（15 分）

一、液相一階不可逆反應 A → B 於一體積 600 公升之非理想流動式反應器中進行，進料 含有 40 mol%的 A 與 60 mol%的惰性物質，進料總莫耳流率為 100 mol/min，進料濃 度 CA0 = 1 mol/L，出口處 A 之轉化率（conversion）為 0.92。若相同的反應條件發生 在體積 600 公升之理想栓流反應器 （plug flow reactor, PFR） A 之轉化率可達 0.98。 中， 假設此非理想反應器之行為與 N 個等體積串聯之連續攪拌槽反應器（continuous stirred tank reactor, CSTR）行為相同，且此 N 個 CSTR 體積總和亦為 600 公升。基於 此假設，請計算出 N 的數值 （N 可為非整數） 以及此反應之速率常數 （rate constant）。 （25 分）

⑵請分別說明矽薄膜之生成速率隨 SiCl4、H2 與 Cl2 分壓之變化關係。（6 分）

⑶請問此反應機制是遵守 Eley-Rideal 還是 Langmuir-Hinshelwood 理論。（4 分）

三、氣相一階放熱反應 A → B（速率常數 k = 0.4 min-1）於一絕熱（adiabatic）的連續攪 拌槽反應器（CSTR）中進行，壓力維持在 4.1 atm，反應器溫度為 1000 K。進料僅 含 A，其莫耳流率為 1 mol/min，溫度為 500 K，熱容（heat capacity, CpA）為 45 J/mol K ． 且設為常數。若出口處 A 之轉化率為 0.9，請計算 CSTR 的體積及放熱反應在 1000 K 之反應熱（ΔH）。（25 分）

(四)在無 CO₂時，其推測反應機制（proposed mechanism）如下：  在穩態假設（steady-state approximation）下，請推導其反應速率式。

(三)若 k，每升高 10℃即變為四倍，請寫出可用來求得（活化能 activation energy）的方程式及 ，且此式中僅 為未知數。

(二)假設完整反應速率式為 d[O₃]/dt = ，求指數 b 的數值， 並計算 k。

(一)請判斷 Run 1 的表觀級數（apparent order），並計算 。

(二)請說明在任何反應溫度下，(a)反應是否有可能比(b)反應更快（或更慢） 。 

(一)在同一圖上，半定量繪製 log k 對 1/T 的圖（Arrhenius 型式）比較相 對應之 k₁與 k₂。 

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