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115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_一般行政、一般民政：行政學概要#138845(50題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_一般民政：地方自治概要#138844(27題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_戶政：國籍與戶政法規概要（包括國籍法、戶籍法、姓名條例及涉外民事法律適用法）#138843(27題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_戶政：民法總則、親屬與繼承編概要#138842(27題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_教育行政：教育行政學概要#138841(4題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_教育行政：教育概要#138840(4題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_財稅行政：民法概要#138839(50題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_財稅行政：稅務法規概要#138838(29題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_經建行政：貨幣銀行學概要#138837(4題)

115年 - 115 身心障礙特種考試_三等_教育行政：教育心理學#138836(8題)

50. 傳統上機翼結構大致分為三型： (A)單樑、箱形樑、多樑。 (B)盒式翼樑、工形翼樑、管形翼樑。 (C)構架式翼樑、 張線式翼樑、帽式翼樑。 (D)鉚合翼樑、焊接翼樑、嵌合翼梁。

49. 機件在實施螢光檢查前須： (A)塗上滲透劑(Penetrant) (B)清潔 (C)烘乾 (D)以上皆對

48. 雙喇叭口限用於鋁管之直徑最大為: (A)3/4 吋 (B)1/2 吋 (C)3/8 吋 (D)5/8 吋

3.說明如何以此事件引導學生在日常生活中防範被詐騙？如何引導學生了解古籍中蘊藏 著不被時間帶走的智慧。

2.人物:找出詐騙與被詐騙的人物

 1.情節摘要

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講師：陳耘得

簡介：qwewewe

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講師：陳耘得

簡介：1231231313

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講師：陳耘得

簡介：123213213

混合物閃火點

描述：感謝您提供這些具體的混合物組成。我會嘗試為您估算這個混合物的閃火點。但首先,我需要指出幾個重要的注意...

筆記本

描述：描述

諮商理論

描述：各學派

7.小儒在一次地理隨堂考試失常之後，便認為之後自己在其他科目的考試也都會考不好。小儒的狀況接近貝克(A. Beck)提到的哪一種認知扭曲呢？ (A)個人化(personalization) (B)過度類化(overgeneralization) (C)獨斷的推論(arbitrary inferences) (D)選擇性的抽象化(selective abstraction) 

44 下列何者不具有地方自治團體之地位？ (A)雲林縣斗六市 (B)金門縣烈嶼鄉 (C)臺北市大安區 (D)高雄市桃源區

45 下列何者為非營利組織的特性？ (A)對組織成員發放股利 (B)使命取向 (C)以獲利為主要目的 (D)皆屬於社團法人

7. 有關 RLC 串聯諧振電路，下列敘述何者錯誤？ (A)當工作頻率低於諧振頻率時，電路的電流會超前電源電壓 (B)電路發生諧振時，電源端提供的視在功率會等於實功率 (C)若減少電路中的電阻值，電路的頻寬會變窄且選擇性變佳 (D)電路諧振時，電感兩端電壓與電容兩端電壓的相位相同，且大小相等

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

12. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？ (A)FET內部通道靠近汲極(Drain)端之有效截面積，會比靠近源極(Source)端來得窄 (B)為了維持在飽和區工作，汲極與源極間電壓( VDS)必須小於夾止電壓(VP)或過驅動電壓 (C)無論何種N通道 FET，其閘極與源極間電壓( VGS)皆必須大於零才能產生汲極電流 (D)FET內部靠近汲極端所形成的空乏區寬度，會比靠近源極端的空乏區窄