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技檢◆電力電子-甲級
> 114年 - 11600 電力電子 甲級 工作項目 02:零組件認識與使用 1-35(2025/12/08 更新)#134447
114年 - 11600 電力電子 甲級 工作項目 02:零組件認識與使用 1-35(2025/12/08 更新)#134447
科目:
技檢◆電力電子-甲級 |
年份:
114年 |
選擇題數:
35 |
申論題數:
0
試卷資訊
所屬科目:
技檢◆電力電子-甲級
選擇題 (35)
1. 功率元件之冷卻效果以使用熱管為最佳外,依其冷卻效果較佳之順序為(A)水冷→氣冷→自由空冷 (B)氣冷→水冷→自由空冷 (C)自由空冷→水冷→氣冷 (D)自由空冷→氣冷→水冷 。
2. 下列有關 GTO 元件的敘述何者為錯誤? (A)可在閘極端加入負電流脈波截止,其導通不需輔助換流電路 (B)GTO 具有閘流體高電壓阻斷能力 (C)截止所需之閘極電流值較觸發所需之閘極電流值高 (D)GTO 切換頻率比同額定容量功率電晶體高 。
3. 下列有關散熱片散熱能力之敘述何者為錯誤? (A)散熱片之鰭片形狀設計及材料之選擇 (B)與散熱片重量有關,而與散熱片之表面積無關 (C)功率元件在散熱片上的相關位置 (D)功率元件與散熱片接觸面積之大小 。
4. 雙極性接面型功率電晶體元件之溫度係數具有下列何種特性? (A)正溫度係數 (B)負溫度係數 (C)零溫度係數 (D)不隨溫度改變 。
5. 電流感測用霍爾元件在較低磁通密度之磁場中,其所感應之電壓應具有下列何種特性? (A)非線性 (B)拋物線性 (C)線性 (D)指數曲線 。
6. 下列哪一種溫度感測器屬於電流源輸出? (A)AD590 (B)熱電耦 (C)PT100 (D)熱敏電阻 。
7. 欲觸發閘流體進入導通狀態,陽極電流必須高於下列何種電流? (A)保持電流(holding current) (B)栓鎖電流 latching current (C)崩潰電流 (D)反向飽和電流 。
8. 下列電力電子元件中,何者最適宜並聯使用? (A)IPM (B)POWER BJT (C)IGBT (D)POWER MOSFET 。
9. 下列電力電子元件中,何者之切換時間(switching time)最小? (A)GaN (B)POWER BJT (C)IGBT (D)POWER MOSFET 。
10. 下列元件中,何者的安全動作範圍(SOA)最狹小? (A)IPM (B)POWER BJT(C)IGBT (D)POWER MOSFET 。
11. 下列數位邏輯積體電路,何者之電源電壓容許誤差較大? (A)5400 (B)74H00 (C)74S00 (D)74LS00 。
12. 電路使用變阻器(varistor)元件的目的是: (A)用以消除周圍溫度干擾 (B)用以消除突波或消除雜訊 (C)用以抵消電路中之雜散電容 (D)用以防止電路間之漏電流 。
13. (0.1μF+120Ω,250V)係下列何種元件的規格: (A)EMI 濾波器 (B)突波吸收器 (C)緩震器(snubber) (D)變阻器 。
14. 下圖 SCR 所需
最大值為 1.5V,
=200mA,若最大閘極平均功率為1W,
為 10V,設計適當的
使觸發達 2 倍驅動,則
合理值為多少?
(A)10Ω (B)20Ω (C)100Ω (D)200Ω 。
15. 在容易產生瞬時過電流(衝擊電流)的負載電路中,為避免瞬間大電流燒斷保險絲,宜採用下列何種保險絲? (A)速斷熔斷保險絲 (B)延時熔斷保險絲 (C)普通熔斷保險絲 (D)積熱式斷路器 。
16. 關於 GTO 與 Power BJT 比較,下列何者有誤? (A)GTO 可耐受較高電壓與電流 (B)GTO 緩震電路(Snubber Circuit)設計較容易 (C)GTO 切換速度較慢 (D)GTO 過電流保護較不易設計 。
17. 功率電晶體順向偏壓安全工作區(FBSOA)與下列何項參數無關? (A)集極額定電流 (B)基極額定電流 (C)集射最大電壓 (D)溫度 。
18. 某 GTO 工作於 40A 負載電流下,若截止增益為 8,則截止所需閘極負電流為多少? (A)2A (B)3A (C)5A (D)10A 。
19. 在固定負載下,熱阻越大的功率電晶體其特性表示為: (A)接合面的溫度越低 (B)容許外殼溫度越高 (C)接合面與外殼溫度差越大 (D)容許集極消耗功率越多 。
20. 在 SCR 控制電路中,若觸發角α越大,表示負載消耗功率 (A)不變 (B)不一定 (C)越小 (D)越大 。
21. 下列何者為四層半導體元件? (A)TRIAC (B)UJT (C)PUT (D)SCR 。
22. 下列何者不是截止(turn off)SCR 之方法? (A)令陽極電流為零 (B)令陽極與陰極短路 (C)令閘極開路 (D)令陽極電流降至保持電流以下 。
23. 下列元件,何者對光的反應速度最慢? (A)光電晶體 (B)光敏電阻 (C)光二極體 (D)光耦合器 。
24. 下列哪一元件是電壓型觸發者? (A)BJT (B)IGBT (C)SCR (D)GTO 。
複選題
25. 下列哪些選項符合蕭特基二極體(Schottky diode)的結構與特性? (A)為金屬-半導體接面結構 (B)順向導通電壓較同級之 PN 接面二極體低 (C)導通電流為多數載子電流 (D)逆向崩潰電壓可高達 1kV 以上 。
複選題
26. 下列哪些選項符合無鉛銲錫的特性描述? (A)熔點比傳統含鉛焊錫(63%錫+37%鉛)高 (B)潤濕性(wettability)差 (C)易腐蝕烙鐵頭 (D)與有鉛銲錫之銲點比較,其銲點較有光澤 。
複選題
27. 下列哪些選項符合碳化矽二極體(SiCdiode)的結構與特性? (A)反向恢復時間(backward recovery time)極短 (B)切換速度快 (C)溫度升高時,反向恢復時間增加很少 (D)逆向崩潰電壓低 。
複選題
28. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性? (A)低導通電阻 (B)閘極儲存電荷低 (C)切換頻率可達 10MHz 以上 (D)與矽 MOSFET 相較,其閘極漏電流較小 。
複選題
29. 下列有關二極體反向恢復特性(reverse recovery characteristics)的敘述,何者正確? (A)反向恢復時間為二極體截止期間,電流由零降低至最大反向電流值,再回復到反向恢復電流 Irr所需的時間 (B)當二極體截止時,接面的少數載子需與相反極性電荷再結合,因而產生反向電流 (C)反向恢復電荷多寡會影響反向恢復時間 (D)柔性恢復二極體之柔性係數(softnessfactor)較一般二極體小 。
複選題
30. 下列哪些參數會影響 MOSFET 的切換速度? (A)閘極儲存電荷 (B)導通時間(C)截止時間 (D)導通電阻 。
複選題
31. 下列哪些參數會影響 MOSFET 的切換損失? (A)閘極儲存電荷 (B)導通轉態時間 (C)截止轉態時間 (D)導通電阻 。
複選題
32. 下列哪些選項符合碳化矽(SiC)材料特性? (A)高崩潰電壓 (B)寬能隙 (C)高熱導係數 (D)高電子遷移率 。
複選題
33. 下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性? (A)低切換損失 (B)切換速度快 (C)耐高溫 (D)製程簡單,價格便宜 。
複選題
34. 下列哪些選項符合 NP0(CG0)積層陶瓷電容(MLCC)的特性? (A)電容量溫度飄移小 (B)電容量不易受工作頻率影響 (C)介質損耗穩定 (D)電容量密度高 。
複選題
35. 下列哪些參數會影響鐵芯損失? (A)鐵芯工作溫度 (B)鐵芯工作頻率 (C)鐵芯磁通密度 (D)鐵芯重量 。
申論題 (0)