114年 - 11600 電力電子甲級工作項目 02：零組件認識與使用 1-35（2025/12/08 更新）#134447

科目：技檢◆電力電子-甲級 | 年份：114年 | 選擇題數：35 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆電力電子-甲級

選擇題 (35)

1. 功率元件之冷卻效果以使用熱管為最佳外，依其冷卻效果較佳之順序為(A)水冷→氣冷→自由空冷 (B)氣冷→水冷→自由空冷 (C)自由空冷→水冷→氣冷 (D)自由空冷→氣冷→水冷。

2. 下列有關 GTO 元件的敘述何者為錯誤？ (A)可在閘極端加入負電流脈波截止，其導通不需輔助換流電路 (B)GTO 具有閘流體高電壓阻斷能力 (C)截止所需之閘極電流值較觸發所需之閘極電流值高 (D)GTO 切換頻率比同額定容量功率電晶體高。

3. 下列有關散熱片散熱能力之敘述何者為錯誤？ (A)散熱片之鰭片形狀設計及材料之選擇 (B)與散熱片重量有關，而與散熱片之表面積無關 (C)功率元件在散熱片上的相關位置 (D)功率元件與散熱片接觸面積之大小。

4. 雙極性接面型功率電晶體元件之溫度係數具有下列何種特性？ (A)正溫度係數 (B)負溫度係數 (C)零溫度係數 (D)不隨溫度改變。

5. 電流感測用霍爾元件在較低磁通密度之磁場中，其所感應之電壓應具有下列何種特性？ (A)非線性 (B)拋物線性 (C)線性 (D)指數曲線。

6. 下列哪一種溫度感測器屬於電流源輸出？ (A)AD590 (B)熱電耦 (C)PT100 (D)熱敏電阻。

7. 欲觸發閘流體進入導通狀態，陽極電流必須高於下列何種電流？ (A)保持電流(holding current) (B)栓鎖電流 latching current (C)崩潰電流 (D)反向飽和電流。

8. 下列電力電子元件中，何者最適宜並聯使用？ (A)IPM (B)POWER BJT (C)IGBT (D)POWER MOSFET 。

9. 下列電力電子元件中，何者之切換時間(switching time)最小？ (A)GaN (B)POWER BJT (C)IGBT (D)POWER MOSFET 。

10. 下列元件中，何者的安全動作範圍(SOA)最狹小？ (A)IPM (B)POWER BJT(C)IGBT (D)POWER MOSFET 。

11. 下列數位邏輯積體電路，何者之電源電壓容許誤差較大？ (A)5400 (B)74H00 (C)74S00 (D)74LS00 。

12. 電路使用變阻器(varistor)元件的目的是： (A)用以消除周圍溫度干擾 (B)用以消除突波或消除雜訊 (C)用以抵消電路中之雜散電容 (D)用以防止電路間之漏電流。

13. (0.1μF+120Ω，250V)係下列何種元件的規格： (A)EMI 濾波器 (B)突波吸收器 (C)緩震器(snubber) (D)變阻器。

14. 下圖 SCR 所需

最大值為 1.5V，

＝200mA，若最大閘極平均功率為1W，

為 10V，設計適當的

使觸發達 2 倍驅動，則

合理值為多少？

(A)10Ω (B)20Ω (C)100Ω (D)200Ω 。

15. 在容易產生瞬時過電流（衝擊電流）的負載電路中，為避免瞬間大電流燒斷保險絲，宜採用下列何種保險絲？ (A)速斷熔斷保險絲 (B)延時熔斷保險絲 (C)普通熔斷保險絲 (D)積熱式斷路器。

16. 關於 GTO 與 Power BJT 比較，下列何者有誤？ (A)GTO 可耐受較高電壓與電流 (B)GTO 緩震電路(Snubber Circuit)設計較容易 (C)GTO 切換速度較慢 (D)GTO 過電流保護較不易設計。

17. 功率電晶體順向偏壓安全工作區(FBSOA)與下列何項參數無關？ (A)集極額定電流 (B)基極額定電流 (C)集射最大電壓 (D)溫度。

18. 某 GTO 工作於 40A 負載電流下，若截止增益為 8，則截止所需閘極負電流為多少？ (A)2A (B)3A (C)5A (D)10A 。

19. 在固定負載下，熱阻越大的功率電晶體其特性表示為： (A)接合面的溫度越低 (B)容許外殼溫度越高 (C)接合面與外殼溫度差越大 (D)容許集極消耗功率越多。

20. 在 SCR 控制電路中，若觸發角α越大，表示負載消耗功率 (A)不變 (B)不一定 (C)越小 (D)越大。

21. 下列何者為四層半導體元件？ (A)TRIAC (B)UJT (C)PUT (D)SCR 。

22. 下列何者不是截止(turn off)SCR 之方法？ (A)令陽極電流為零 (B)令陽極與陰極短路 (C)令閘極開路 (D)令陽極電流降至保持電流以下。

23. 下列元件，何者對光的反應速度最慢？ (A)光電晶體 (B)光敏電阻 (C)光二極體 (D)光耦合器。

24. 下列哪一元件是電壓型觸發者？ (A)BJT (B)IGBT (C)SCR (D)GTO 。

複選題
25. 下列哪些選項符合蕭特基二極體(Schottky diode)的結構與特性？ (A)為金屬-半導體接面結構 (B)順向導通電壓較同級之 PN 接面二極體低 (C)導通電流為多數載子電流 (D)逆向崩潰電壓可高達 1kV 以上。

複選題
26. 下列哪些選項符合無鉛銲錫的特性描述？ (A)熔點比傳統含鉛焊錫(63%錫+37%鉛)高 (B)潤濕性(wettability)差 (C)易腐蝕烙鐵頭 (D)與有鉛銲錫之銲點比較，其銲點較有光澤。

複選題
27. 下列哪些選項符合碳化矽二極體(SiCdiode)的結構與特性？ (A)反向恢復時間(backward recovery time)極短 (B)切換速度快 (C)溫度升高時，反向恢復時間增加很少 (D)逆向崩潰電壓低。

複選題
28. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性？ (A)低導通電阻 (B)閘極儲存電荷低 (C)切換頻率可達 10MHz 以上 (D)與矽 MOSFET 相較，其閘極漏電流較小。

複選題
29. 下列有關二極體反向恢復特性(reverse recovery characteristics)的敘述，何者正確？ (A)反向恢復時間為二極體截止期間，電流由零降低至最大反向電流值，再回復到反向恢復電流 Irr所需的時間 (B)當二極體截止時，接面的少數載子需與相反極性電荷再結合，因而產生反向電流 (C)反向恢復電荷多寡會影響反向恢復時間 (D)柔性恢復二極體之柔性係數(softnessfactor)較一般二極體小。

複選題
30. 下列哪些參數會影響 MOSFET 的切換速度？ (A)閘極儲存電荷 (B)導通時間(C)截止時間 (D)導通電阻。

複選題
31. 下列哪些參數會影響 MOSFET 的切換損失？ (A)閘極儲存電荷 (B)導通轉態時間 (C)截止轉態時間 (D)導通電阻。

複選題
32. 下列哪些選項符合碳化矽(SiC)材料特性？ (A)高崩潰電壓 (B)寬能隙 (C)高熱導係數 (D)高電子遷移率。

複選題
33. 下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性？ (A)低切換損失 (B)切換速度快 (C)耐高溫 (D)製程簡單，價格便宜。

複選題
34. 下列哪些選項符合 NP0(CG0)積層陶瓷電容(MLCC)的特性？ (A)電容量溫度飄移小 (B)電容量不易受工作頻率影響 (C)介質損耗穩定 (D)電容量密度高。

複選題
35. 下列哪些參數會影響鐵芯損失？ (A)鐵芯工作溫度 (B)鐵芯工作頻率 (C)鐵芯磁通密度 (D)鐵芯重量。

申論題 (0)