試題詳解

試卷：114年 - 11600 電力電子甲級工作項目 02：零組件認識與使用 1-35（2025/12/08 更新）#134447 | 科目：技檢◆電力電子-甲級

試卷名稱：114年 - 11600 電力電子甲級工作項目 02：零組件認識與使用 1-35（2025/12/08 更新）#134447

年份：114年

科目：技檢◆電力電子-甲級

複選題
28. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性？
(A)低導通電阻
(B)閘極儲存電荷低
(C)切換頻率可達 10MHz 以上
(D)與矽 MOSFET 相較，其閘極漏電流較小。

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