【站僕】摩檸Morning>試卷(2022/01/10)

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111 年 - 111 初等考試_電子工程:電子學大意#105667 

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1.

1 某增強型 NMOS 場效電晶體的 61dba30b525cb.jpg,今若其電壓 61dba319d40e3.jpg,則其轉導 gm (Transconductance)為若干μA/V?   
(A)25
(B)50
(C)100
(D)200



2.

2 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 61dba36370ca6.jpg 的電壓波形如下所示, 61dba36b018f3.jpg, R1 = R2 =1KΩ,R3 = R4 =100Ω, 61dba3a9e0a0c.jpg),電晶體電流增益 61dba3bb89870.jpg。試研判輸出接腳 61dba3c9032d5.jpg 在 低準位輸出( 61dba3d65f10b.jpg)時最可能的工作電壓: 61dba34c1bdf4.jpg
(A) 61dba4011ee35.jpg
(B) 61dba435eaf6b.jpg
(C) 61dba43de2b1f.jpg 
(D) 61dba44ba1428.jpg



3.3 對於一個 PN 接面二極體在逆偏(reverse bias)的條件下,下列何者正確?
(A)外部電壓之正端接於 P 側,負端接於 N 側
(B)P 側的電子將會流向 N 側,N 側的電洞則流向 P 側
(C)當逆偏壓加大時,因空乏區(depletion region)擴大而導致電容也變大
(D)接面空乏區內電場的方向為由 P 側指向 N 側


4.

4 如圖所示之電路,OP AMP 為理想。求 61dba474bfddd.jpg61dba4666b42b.jpg
(A)R
(B)2R
(C)(k+1)R
(D)(k+3)R



5.5 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。 61dba49e6cb31.jpg#s-94,26,電晶體之小信號 61dba4af40f3f.jpg#s-170,27,W/L=10, Vt = 0.5 V。電流源非完全理想,有一值為20kΩ 的內阻。求小信號增益 61dba4ce1617b.jpg#s-43,2661dba48b02168.jpg#s-320,282
(A)-20
(B)-40
(C)-100
(D)-1000


6. 6 雙極性電晶體接成共集極組態時,其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何?
(A)最低
(B)最高
(C)次高
(D)一樣


7. 7 下列何種矽電晶體具有常閉型通道?
(A)PN 接面型場效電晶體
(B)MOS 增強型場效電晶體
(C)MOS 空乏型場效電晶體
(D)雙極性接面電晶體


8. 8 有一半波整流器的輸入電壓峰值為 10 V,則其輸出電壓的峰值大約為:
(A)10.7 V
(B)9.3 V
(C)5 V
(D)3.2 V


9.9 有一增益為 A = 10000,單極頻率(single pole frequency)為 105 rad/s 之放大器,將其置入回饋因素 (feedback factor)f = 0.01 的回饋迴路,設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益(open loop gain), 則此放大器之開迴路單一增益頻率(unit gain frequency)為:
(A)109 rad/s
(B)105 rad/s
(C)103 rad/s
(D)102 rad/s


10. 10 如圖所示電路為一階主動低通濾波器,若 ,則此電路的截止頻率 為多少?

(A)5.3 GHz
(B)5.3 MHz
(C)5.3 kHz
(D)5.3 Hz


11.

11 有一 N 通道接面場效電晶體(JFET)的夾止電壓 61dba7929d900.jpg,且源極電壓 61dba79bc4968.jpg, 則下列那一個條件可使此 JFET 工作於飽和區?
(A) 61dba822d3e46.jpg
(B) 61dba82c2bb27.jpg
(C) 61dba8351674d.jpg
(D) 61dba83cd0d61.jpg



12.

12 關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者正確?
(A)電晶體操作在飽和(saturation)區時之轉導值 (transconductance)較操作於順向主動區(forward active region)時為大
(B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗 61dba8ac7bfec.jpg較操作於順向主動區時為大
(C)操作於放大器模式時,基集極接面應避免順向偏壓
(D)電晶體操作在截止(cutoff)區時,基射極接面必為順向偏壓



13.

13 橋式全波整流電路的輸入信號: 61dba9d63b462.jpg = 18sin(377t)伏特。其輸出信號之頻率為何?
(A)60 Hz
(B)120 Hz
(C)377 Hz
(D)754 Hz



14.

14 下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0Ω。電阻值 R=10Ω。若 61dbaa29489d9.jpg = 3 sin 10t 伏特。則 61dbab3014e20.jpg的最小值為何? 61dba9ec6f127.jpg
(A)4 V
(B)2 V
(C)-2 V
(D)-2.7 V



15.

15 下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0Ω,輸入信號為弦波, 61dbab6075efd.jpg= 4 sin 10t 伏 特,R1,R2,R3 皆為 10Ω,則電流 | i | 之最大值為何? 61dbab467d1dd.jpg
(A)530 mA
(B)265 mA
(C)65 mA
(D)20 mA



16.

16 如圖所示之電路,假設二極體之壓降為 0.7 V,則二極體 D2 之逆向峰值電壓(PIV)為何? 61dbab8401715.jpg
(A)20 V
(B)39.3 V
(C)41.4V
(D)60.7 V



17.

17 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0Ω,若 Vi = + 5 V,關於下列電路之敘述, 何者正確? 61dbada779115.jpg
(A)X 點電壓=5 V
(B)D2 電流為 2.15 mA
(C)Z 點電壓為 4.3 V
(D)Y 點電壓為 0 V



18.

18 如圖所示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中 m 表斜率) 61dbae45c7dc1.jpg
(A) 61dbae68088c5.jpg
(B) 61dbae6fcafbc.jpg
(C) 61dbae7787d49.jpg
(D) 61dbae7eb7125.jpg



19.

19 如圖所示之電路,假設二極體為理想,試求輸出電壓之最大正值為何? 61dbae98b80bf.jpg
(A)1 V
(B)4 V
(C)7 V
(D)10 V



20.

20 如圖電路,設二極體均為理想二極體,R=10kΩ,R1 = R2=5kΩ,V1 = V2 = 5 V。當 61dbaf67a70f1.jpg 時, 61dbbd9b614d5.jpg 為多大? 61dbaec5c1d0d.jpg
(A)0
(B)3 V
(C)6 V
(D)8 V



21.

21 圖示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中 m 表斜率) 61dbc1470a64b.jpg
(A) 61dbc14f75863.jpg
(B) 61dbc156de7d9.jpg
(C) 61dbc15ee07d1.jpg
(D) 61dbc1663bcb7.jpg



22.

22 電路上某 npn 雙極性接面電晶體(BJT)工作在飽和區(Saturation Region),已知電路之電源電壓 為 8 V,下列何者正確? 61dbc2df275c4.jpg
(A) 61dbc303df396.jpg
(B) 61dbc30cdbfed.jpg
(C) 61dbc317da89d.jpg
(D) 61dbc32105c2d.jpg



23.

23 某 β=100 之 npn 雙極性接面電晶體,若 61dbc34d42a10.jpg,下列何者顯示電晶體工作在飽和區(Saturation Region)?
(A) 61dbc392ae9e2.jpg
(B) 61dbc39c385bb.jpg
(C) 61dbc3a5bd3c5.jpg
(D) 61dbc3b03efb5.jpg



24.

24 假設電晶體操作於飽和區,如圖所示共閘極放大器之增益(vo/vi)為何?電晶體之 61dbc4412a047.jpg, W/L = 100, 61dbc44a30295.jpg61dbc41a41995.jpg
(A)20
(B)30
(C)40
(D)50



25.25 於積體電路設計中使用主動負載的放大器,相對於使用被動負載,其好處不包含下列何者?
(A)面積較小
(B)可同時當成電流源偏壓
(C)負載上的壓降較小
(D)頻寬增加


26.26 下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應?
(A)共閘極放大器
(B)共集極放大器
(C)共基極放大器
(D)共源極放大器


27.27 雙極性電晶體(BJT)若工作在截止區時:
(A)基射極接面、基集極接面都順偏
(B)基射極接面順偏、基集極接面逆偏
(C)基射極接面逆偏、基集極接面順偏
(D)基射極接面、基集極接面都逆偏


28.28 矽雙極性電晶體(BJT)工作在飽和區模式時,其基射極之間的電位差約為:
(A)0.2 V
(B)0.3 V
(C)0.7 V
(D)1 V


29.

29 關於雙載子電晶體 (BJT)的小信號模型,下列敘述何者錯誤? 61dbc4ffd1936.jpg
(A)在特定 β 的條件下, 61dbc51bb78fc.jpg與偏壓電流成正比
(B)在特定 β 的條件下, 61dbc52fcef00.jpg 與偏壓電流成正比
(C)在特定元件大小的條件下, 61dbc53e43053.jpg 與偏壓電流成反比
(D)對共射級放大器而言, 61dbc54b6dd2c.jpg 越大則輸入阻抗越大



30.

30 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器,輸出電壓( 61dbc58c5e052.jpg)正半週的最大擺幅恰 為 5 V 時,電阻 R 約為多少?電晶體基-射極的導通定電壓固定為 0.8 V。 61dbc57e8f4d0.jpg
(A)64 kΩ
(B)100 kΩ
(C)128 kΩ
(D)210 kΩ



31.

31 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中,在集極端直接耦接有一 3.5 kΩ 的負載,電晶體基-射極 的導通定電壓為 0.8 V 下,求該電晶體於集極端的電壓約為多少? 61dbc7dae13d7.jpg
(A)9 V
(B)7 V
(C)5 V
(D)4 V



32.

32 圖示 PMOS 場效電晶體電路,電晶體之 61dbc8077c86f.jpg,若 61dbc8119f359.jpg, 欲電晶體在飽和區工作,電壓 61dbc829869ce.jpg 的最大值應為若干伏特? 61dbc7ee2625a.jpg
(A)4 V
(B)3.5 V
(C)2.5 V
(D)2 V



33.

33 如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知 61dbc88811277.jpg 的電壓值為 8 伏特,此電路中流過電 阻器 R 的電流絕對值取其最大與最小值分別以 I1 和 I2(單位 mA)表示之,則下列那一敘述為正確? 其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 16 V。 61dbc86f36308.jpg
(A)I1 = 8 mA
(B)I2 = 4 mA
(C)I1+I2 = 8 mA
(D)I1-I2 = 2 mA



34.34 有關運算放大器的應用,下列電路何者使用負回授電路?
(A)比較器
(B)史密特觸發電路(Schmitt trigger)
(C)無穩態電路(Astable)
(D)電壓隨耦器 s


35.

35 某電路之轉移函數: 61dbc8c8dc4a2.jpg ,當角頻率為 10 rad/sec 時,相角為何?
(A)-90°
(B)-45°
(C)45°
(D)90°



36.

36 圖示 MOS 電路, 61dbc8f9636c0.jpg 為輸入電壓, 61dbc90197fc8.jpg 為輸出電壓,本電路主要作用為何? 61dbc8e3acd31.jpg
(A)調諧放大
(B)高通放大
(C)差動放大
(D)峰值偵測



37.

37 圖示為理想運算放大器組成的電路,運算放大器的輸出飽和電壓為 ± 12 V,R1 =10kΩ、R2=40kΩ, 輸出電壓 61dbcab9b3d54.jpg 原為 -12 V,輸入電壓 vI 為下列何電位時,輸出 61dbc9552ca88.jpg 將為 + 12 V? 61dbc91d49fed.jpg
(A)-3 V
(B)-2 V
(C)2 V
(D)3 V



38.

38 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述,下列何者正確? 61dbcadace7e6.jpg
(A)v1 為弦波
(B)v2 為方波
(C)v3 近似為三角波
(D)v3 的振幅較 v1 為小



39.

39 如圖電路,已知輸出 vo 的飽和電壓在±10 V,其 R1 =100kΩ,R2 =1;若在電容器 C 旁邊並接一 顆二極體,其順向電壓為 0.7 V,則輸出電壓 vo 會在什麼狀態? 61dbcb04707dd.jpg
(A)保持在 -0.7 V
(B)保持在 -10 V
(C)保持在 + 10 V
(D)保持在 ± 10 V 之間變化



40.

40 如圖二階低通濾波電路,欲實現具有最大平坦度且 3 dB 頻率為 7.07 × 105 rad/s,當電阻 R 為5kΩ 時,  所需的電容 C 值為何? 61dbce1c2079b.jpg
(A)100 pF
(B)200 pF
(C)500 pF
(D)707 pF



懸賞詳解

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