複選題
217. 碳化矽（silicon carbide, SiC）與矽(Si)半導體材料製作元件之特性比較，下列敘述哪些正確？
(A)禁帶寬度較大
(B)臨界擊穿場強較大
(C)可耐受的溫度較高
(D)頻寬較窄 。

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