阿摩線上測驗
19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述 何者錯誤？
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
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統計： A(91), B(18), C(16), D(7), E(0) #1339908
統計： A(91), B(18), C(16), D(7), E(0) #1339908
詳解 (共 3 筆)
KEVIN_HUGO
#3303794
增加Vb不是會增加Vgs所以ID和gm 就會上升???? 哪裡錯
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我只是略懂
#3303798
這種電路ID已經固定 如果VGS上升 K就必須下降Id=k*(VGS-Vt)
K下降gm就下降 gm=(2/Vt)(Id*K)1/2
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