41. 下列對於JFET的特性敘述何者正確？
(A) VGS接近截止( cut- off)電壓時，汲極與源極間的崩潰電壓比在 VGS=0V 時為大
(B) 在室溫附近，溫度愈高時，有較小的汲極電流
(C) 通道寬度愈窄，夾止 ( pinch-off)電壓愈大
(D) P 通道接面場效電晶體的高電位在汲極端

答案：登入後查看
統計： A(19), B(29), C(17), D(6), E(0) #668436

詳解 (共 1 筆)

#5633748

VGS=0時，VDS的崩潰電壓最大
（想像通道並沒有任何縮減，所以要施加最大的電壓才能填滿使其崩潰

VGS若接近Vp，則通道已經被空乏區佔據一部分，
此時施加較小的VDS即可填滿FET內部，達到崩潰

0
0