5. N 型矽或鍺半導體
(A)為絕緣體
(B)含有多量電洞
(C)是不良的導電體
(D)含有多量的電子。

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統計： A(6), B(22), C(3), D(85), E(0) #712746

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#4810994

N 型矽或鍺半導體含有多量的電子

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