申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#77994
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

題組內容

二、由 p 型砷化鎵（GaAs）半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky ，假如金的功函數（work function, qφm）為 4.8 eV，砷化鎵的電 junction）子親和力（electron affinity, qχ_SC）為 4.07 eV，砷化鎵的能隙（Eg）為 1.42 eV，砷化鎵的功函數（work function, qφ_SC）為 5.47 eV。

申論題內容

⑴請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height, qφB ）與內建電位值（built-in potential, qVbi）。（10 分）