申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067
科目：積體電路技術
年份：113年
排序：0

二、關於被動積體元件（Passive discrete devices）的設計，請回答下列問題：

(一)一個具有介電層的金屬氧化半導體（MOS）元件，面積為 4 μm² ，介電層厚度為10 nm，使用介電常數

（Dielectric constant）為 25 的五氧化二鉭 (Ta₂O₅) 當介電層，當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時，試分別求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。（10 分）（設真空中介電常數ε_o為

F/cm）