申論題

二、有一 n 通道之 Si MOSFET，設其長寬各為 L = W =1 μm，有效閘極氧化層厚度為 Toxe = 3.45 nm（有效閘極電容為 C oxe = 10^-6 F/cm² ），又閘極功函數ΦM = 4.03 eV，且 Si 材之摻雜濃度（bulk Si dopant concentration）為 NA = 10¹⁷ cm ^-3（其對應之 Si 材功函數 ΦS = 5.03 eV，最大空乏區寬度為 WT =100 nm）。設 T = 300 K，Si 之 ni = 10¹⁰ cm ^-3，求：

(二)若此元件之空乏區電荷 Q_dep為 1.6×10^-7 C/ cm² ，則其臨界電壓 V_T為何？又此元件 為增強型或是空乏型（enhancement-mode or depletion-mode device），請說明理由？ （10 分）