一、⑴對於一般常見的 n 型半導體（如矽、砷化鎵、氮化鎵與氧化鋅），通常費米能階 （Fermi Level）會隨著摻雜電子濃度增加而更接近導帶（Conduction Band），如 果高摻雜電子濃度，費米能階甚至會深入導帶內部；但是對於 p 型半導體，無論 摻雜電洞濃度如何增加，費米能階總是不會深入價帶（Valence Band）內部，請 說明原因。