四、在 p 通道 MOSFET 製程技術中，利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整（VT-adjust）及抗擊穿（antipunch-through）佈植，請以 p-MOSFET 元件結構剖面圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。（15 分）