題組內容

一、理想矽pn二極體，p區摻雜濃度Na = 8×1014 cm-3，n區摻雜濃度Nd = 4×1014 cm-3，矽之介 電係數ϵsi = 11.7 ϵo，其中ϵo = 8.85×10-14 F/cm，在p區之空乏區寬度為Wp，在n區之空乏 區寬度為Wn，常溫下 1 kT/q = 0.0259 V，矽之本質載子濃度為 ni = 1.5×1010 cm-3。

⑴請求出Wp/Wn =？（10 分）

詳解 (共 1 筆)

李紹晨
李紹晨
詳解 #4452842
2020/12/23
此題只需求Wp/Wn，由空乏區寬度與參雜...
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