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申論題資訊

試卷:101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#39986
科目:半導體工程
年份:101年
排序:0

題組內容

一、理想矽pn二極體,p區摻雜濃度Na = 8×1014 cm-3,n區摻雜濃度Nd = 4×1014 cm-3,矽之介 電係數ϵsi = 11.7 ϵo,其中ϵo = 8.85×10-14 F/cm,在p區之空乏區寬度為Wp,在n區之空乏 區寬度為Wn,常溫下 1 kT/q = 0.0259 V,矽之本質載子濃度為 ni = 1.5×1010 cm-3

申論題內容

⑴請求出Wp/Wn =?(10 分)