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102年 - 102 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#44063
> 申論題
題組內容
二、圖二(a)MOSFET 之 W/L 註明於各晶體旁側,k
n
'=k
p
'=100 μA/V
2
,臨界電壓 V
tn
=|V
tp
|=1 V,NMOS 之電流電壓關係式如圖二(b),
⑵求算 V
3
。(10 分)
相關申論題
⑴求算放大器電壓增益 Avf = Vo /Vs。(5 分)
#143873
⑵求算由 Rs 往右側看之迴授放大器輸入電阻 Rif。(5 分)
#143874
⑶求算由 RL 往左側看之迴授放大器輸出電阻 Rof。(10 分)
#143875
⑴ Y = AB + CD ,並解釋電路之工作原理。(10 分)
#143877
⑴求算 V1、V2。(10 分)
#143870
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
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