申論題

24-26題為題組
在半導體製程中需要有曝光機(光源)，將光罩上的線路圖形縮小投影成像到晶圓上。 已知常用的光源波長有紫外光(UV)436 nm、365 nm，深紫外光(DUV)248 nm、193 nm 及極紫外光(EUV)13.5 nm。某半導體公司在研發半導體製程中，曾在晶圓與光源間注入 純水，利用波長 193 nm 曝光機在晶圓上製得比使用乾式 157 nm 曝光機更小的線路線寬。
光在單位面積單位時間內通過的能量值稱為光的強度。光在水中傳播時，其強度 I 會隨傳播距離 z 的增加而衰減，關係式為 ，其中 a為衰減係數、I₀ 為起始強度、 e 為自然常數(近似值 2.7，其倒數e^-10.37 )。圖 10 是水的吸收光譜，橫軸為光源的原始波長，縱軸為光在水中的衰減係數。圖 10 中橫軸與縱軸為對數坐標，坐標軸上刻度的位置是由坐標軸刻度數值取以 10 為底的對數值而決定。
綜上所述，回答下列問題。

26. 在圖 10 中，若當光在水中傳遞 10 cm 後，其強度至少仍有起始強度的 0.37 倍，則可能的波長範圍為何？即λ_L<λ<λ_H ，求λ_L 及 λ_H。(須有說明或計算過程)(4 分)