9.當電子束以與晶格面成一定角度θ入射時，被規則排列的原子散射後，可以在特定方向上形成完全建設性干涉。若以動量為kg.m/s電子束入射晶格間距m的原子，當掠射角度θ在50˚≤θ＜90˚範圍內變化時，反射後電子束會發生幾個完全建設性干涉?(普朗克常數J·s、sin50˚=0.77)