106年 - 106 專科學校畢業程度自學進修學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#72500

1. 若一二極體之切入電壓V_t =0.68V，二極體之端點電壓V_DQ =0.72V，端點電流I_DQ =25mA，則動態電阻r_D為何？ (A) 0.7Ω (B) 1.6Ω (C) 2.8Ω (D) 3.2Ω

2. 下列有關一般二極體之主要特性敘述，何者正確？ (A) 逆向偏壓時導通 (B) 雙向均可導通 (C) 單向導通 (D) 一般操作於崩潰區

3. 如圖(一)所示之電路，若E=12V，R=1kΩ，二極體D 之切入電壓V_t為0.7V，則二極體D 之消耗功率為何？ (A) 3.20mW(B) 4.82mW (C) 5.62mW (D) 7.91mW

4. P型半導體中，其多數載子為何？ (A) 電子 (B) 電洞 (C) 原子 (D) 中子

5. 如圖(二)所示之理想二極體電路，若V₁=12V，V₂=3V，R₁=3.3kΩ，R₂=2.2kΩ，R_L=1.1kΩ，則v_out電壓為何？ (A) 4V(B) 3.6V (C) 3V (D) 2.4V

6. 如圖(三)所示之理想二極體電路，若AC電源接於110V_rms市電，則V_out之電壓有效值為何？ (A) 24V(B) 12V (C) 10.8V(D) 7.6V

7. 一般穩壓電路使用的齊納二極體(Zener Diode )是將此二極體操作於何種模式？ (A) 逆向崩潰區 (B) 順向崩潰區 (C) 整流作用區 (D) 濾波作用區 ˉ

8. 一般LED元件作為發光使用時，是操作於何種偏壓模式？ (A) 截止區模式 (B) 崩潰區模式 (C) 逆向偏壓模式 (D) 順向偏壓模式 ˉ

9. 下列何種元件所產生之光譜最窄？ (A) LED(Light-Emitting Diode ) (B) 雷射二極體(Laser Diode ) (C) 蕭特基二極體(Schottky Diode ) (D) 齊納二極體(Zener Diode )

10. 如圖(四)所示之理想二極體電路，v_in=10sin ( 500 t)，則此電路之特性曲線為何？ (A) (B) (C) (D)

11. 下列何種二極體之反應速度最快？ (A) 雷射二極體(Laser Diode ) (B) 隧道二極體(Tunnel Diode ) (C) 光二極體(Photo Diode ) (D) 蕭特基二極體(Schottky Diode ) ˉ

12. 如圖(五)所示之電路，齊納二極體之逆向崩潰電壓標示如圖，若V_S = 12 V，R_L = 120Ω，則I_L為何？ (A) 22.5mA 圖(五) (B) 30.8mA (C) 37.5mA (D) 41.7mA

13. 下列關於BJT共射極放大電路之敘述，何者正確？ (A) 輸入信號與輸出信號相位相反 (B) 電壓增益約等於1 (C) 電流增益約等於1 (D) 輸入阻抗低，輸出阻抗高 ˉ

14. 若電晶體之障壁電壓為 V_t，則當 NPN 操作於順向作用區 ( Active region )時，下列敘述何者正確？ (A) V_BE＞V_t，V_BC＞Vt (B) V_BE ＞V_t，V_BC ＜V_t(C) V_BE＜V_t，V_BC ＞V_t (D) V_BE ＜V_t，V_BC ＜V_t

15. 下列有關BJT電路之VCE量測電壓，何者可能為BJT操作於飽和之狀態？ (A) 0.2V (B) 0.7V (C) 2.2V (D) 4.8V ˉ

16. BJT放大電路若應用於數位電路設計時，其工作模式作用於何區？ (A) 順向作用區與截止區 (B) 飽和區與順向作用區 (C) 飽和區與截止區 (D) 逆向作用區與飽和區

17. 如圖(六)所示之偏壓電路，V_BB =3V，V_CC =12V，R_C =1.2 kΩ，β=200，欲調整R_B使電路得到最佳工作點，則R_B約為何？ (A) 92kΩ (B) 115kΩ (C) 133kΩ(D) 180kΩ

18. 如圖(七)所示之BJT電路，V_BB= 3 V，V_CC= 12 V，R_B = 115 kΩ，R_C = 2.7 kΩ，β = 200，則I_C=？ (A) 3.2mA (B) 4.0mA (C) 5.0mA (D) 8.2mA

19. 共射極組態之BJT開關電路，當操作於開路時，電晶體之工作區域為何？ (A) 順向作用區 (B) 歐姆區 (C) 截止區 (D) 飽和區

20. 如圖 ( 八 ) 所示之電路， V _CC= 12 V， R_B= 200 kΩ， R_E = 1 kΩ， R_C= 1.2 kΩ，β = 99，切入電壓 V_BE = 0.7 V，熱電壓 V_T = 25 mV，則輸入阻抗 Z_i為何？ (A) 33kΩ(B) 67kΩ (C) 78kΩ (D) 98kΩ

21. 下列關於BJT共射極放大電路射極電阻RE (無射極旁路電容)之敘述，何者正確？ (A) 射極電阻R_E會降低輸入阻抗 (B) 射極電阻R_E可增加電流增益 (C) 射極電阻R_E具有負回授之穩定作用 (D) 射極電阻R_E具有正回授之溫度補償效果

22. 一雙級串級放大電路，第一級與第二級電壓增益分別為 25 dB 與 35 dB，輸入電壓為 5 sin(t)mV，則第二級輸出電壓有效值約為何？ (A) 7.07V (B) 5.24V (C) 4.52V (D) 3.54V

23. 一增強型 MOSFET 之臨限電壓 ( Threshold voltage ) V_th= 3 V，且當 V_GS= 6 V 時汲極電流 I_{D ( on )}= 3 mA，則V_GS= 5 V時之I _D為何？ (A) 1.33mA (B) 1.82mA (C) 2.22mA (D) 2.50mA

24. 如圖(九)所示之電路，若JFET之gm =5mA/V，V_DD =12V，R_G =1MΩ，R_S = 200Ω，則輸出阻抗Z_o約為何？ (A) 100Ω(B) 160Ω (C) 180Ω (D) 200Ω

25. 一 MOS 共源極放大電路，源極與地間接一電阻 R_S，若於電阻 R _S 兩端再並聯電容 C，則加入此電容對放大器之影響為何？ (A) 輸入阻抗變大 (B) 電流增益變小 (C) 電壓增益變大 (D) 輸出阻抗變小

26. 要完成積分器、微分器電路至少需要哪兩個元件？ (A) 二極體、電阻器 (B) 電阻器、電感器 (C) 電阻器、電容器 (D) 二極體、電感器

27. 如圖(十)所示之理想運算放大器電路，設V₁=15mV，則輸出電流I 為多少mA？ (A) 1.5(B) 2 (C) 2.5 (D) 3

28. 如圖(十一)所示之理想運算放大器電路，則V_o為多少V？ (A) 0 (B) 0.2 (C) 0.4 (D) 1

29. 如圖(十二)所示之理想運算放大器電路，設V₁=20mV，則電壓增益A_v為何？ (A) 5 (B) –5 (C) – 20 (D) – 50

30. 電壓隨耦器的輸出電壓與輸入電壓之關係為何？ (A) 相差90度 (B) 反相位 (C) 同相位 (D) 不一定

31. 如圖(十三)所示之理想運算放大器電路，其輸出電壓V_o之值為何？ (A) 25V (B) 20V (C) 15V (D) 10V

32. 如圖 ( 十四 ) 所示理想運算放大器電路中，當輸入電壓 V_i為 – 2 V 時，則輸出電壓 V_o之值為何？ (A) –2V (B) 2V (C) – 12V (D) 0V

33. 下列何者是理想運算放大器的特點？ (A) 輸入阻抗為零 (B) 輸出阻抗為無限大 (C) 頻帶寬度為零 (D) 開路電壓增益為無限大

34. 當二個輸入端全為0或全為1時，輸出端才為1的邏輯閘為下列何者？ (A) 或閘 (B) 反或閘 (C) 互斥或閘 (D) 互斥反或閘

35. 如圖(十五)V_CC =5V，則該電路為下列何種邏輯閘？ (A) OR閘 (B) XOR閘 (C) AND閘 (D) NAND閘

36. 如圖(十六)所示之電路，A 和B 為輸入，F 為輸出，則此電路為下列何種邏輯閘？ (A) OR閘 (B) NOR閘 (C) NAND閘 (D) AND閘

37. 當輸入端有任一為″1″，則輸出端即為″ 0″的邏輯閘為下列何者？ (A) OR閘 (B) NOR閘 (C) AND閘 (D) NAND閘

38. 如圖(十七)所示之電路，A、B為輸入，C、D為輸出，則此電路的功能為何？ (A) 全減法器(B) 半減法器 (C) 全加法器 (D) 半加法器

39. 如圖(十八)所示，JK正反器經外部接線後變為下列何者正反器？ (A) RS正反器 (B) D型正反器 (C) T型正反器 (D) JK正反器

40. 晶體振盪器中所採用之石英晶體是下列何者材料？ (A) 光電效應的材料 (B) 霍爾效應的材料 (C) 熱電效應的材料 (D) 壓電效應的材料

41. 在數位電路中正反器通常都由下列何者振盪器所構成？ (A) 雙穩態多諧振盪器 (B) 單穩態多諧振盪器 (C) 無穩態多諧振盪器 (D) 哈特萊振盪器

42. 巴克豪生準則是放大器的增益 A 與回授衰減係數 β 的乘積即迴路增益 βA，必須為下列何者條件才能振盪出正弦波？ (A) βA＝ 1∠270 ° (B) βA＝ 1∠180 ° (C) βA＝ 1∠ 90 ° (D) βA＝ 1∠0 °

43. 若有一反相放大器欲利用RC相移電路來產生振盪，則此RC電路必須提供的相位移為何？ (A) 360° (B) 270° (C) 180° (D) 90°

44. 無穩態多諧振盪電路所輸出之正極性脈波，若高電位與低電位之比為3：1，則其工作週期為何？ (A) 75% (B) 50% (C) 35% (D) 25%

45. 考畢子(Colpitts)振盪器的回授電路組成方式，下列何者正確？ (A) 一個電感和一個電容 (B) 二個電感和一個電容 (C) 一個電感和二個電容 (D) 二個電感和二個電容

46. 如圖 ( 十九 ) 所示為 SCR 相位控制電路，假設 AC 交流電源之週期為 16 ms，若要使 SCR 觸發角在45°處觸發導通，則電阻R 應為何？ (A) 200kΩ (B) 20kΩ (C) 200Ω (D) 20Ω

47. 在TRIAC控制電路中，若觸發延遲角 α 越小，則表示負載功率消耗為何？ (A) 越大 (B) 越小 (C) 不受影響 (D) 增加1倍

48. 下列哪一種方法不能使已經導通的SCR截止？ (A) 陽極電流降至維持電流以下 (B) 切斷陽極電流 (C) 切斷閘極電流 (D) 使SCR的陽極陰極電壓反相

49. 下列有關PUT的敘述何者正確？ (A) 作用與UJT相同 (B) 利用閘極至陽極電壓來觸發開啟或關閉 (C) 結構不同於閘流體 (D) 不是四層元件

50. 下列何者表示SCR保持電流的意義？ (A) 當陽極電流超過此值，SCR就會開啟 (B) 當陽極電流低於此值，SCR就會關閉 (C) 若陽極電流超過此值，SCR可能會損壞 (D) 閘極電流必須大於此值，SCR才可以開啟

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