111年 - 111 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#111746

科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學 | 年份：111年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

選擇題 (50)

1. 在本質半導體中，摻入下列哪種雜質即可成為N 型半導體？ (A) 銦 (B) 砷 (C) 鎵 (D) 硼

2. 某個電源供應器的輸出電壓，直流電壓部分為20V，而漣波部分峰對峰值為 100 mV，則漣波因數為何？ (A) 0.05 (B) 0.005 (C) 0.0005 (D) 0.00005

3. AC 110V 60Hz的電源經全波整流後，其輸出電壓之頻率為何？ (A) 30Hz (B) 60Hz (C) 120Hz (D) 240Hz

4. 如圖(一)所示之電路，設D₁、D₂為理想二極體，則為何？
(A) 3V(B) 4V (C) 5V (D) 6V

5. 當橋式全波整流器的輸出電壓有效值為 12 V，若忽略二極體的電壓降，則二極體的逆向峰值電壓 PIV 約為何？ (A) 12V (B) 13V (C) 15V (D) 17V

6. 如圖(二)所示之電路，假設二極體視為理想，若( t ) = 110 sin 377 t V，則下列何者為輸出電壓之波形？ (A) (B) (C) (D)

7. 如圖(三)所示之電路，假設二極體為理想二極體，則電壓V_o為何？
(A) 2V (B) 6V (C) 8V (D) 12V

8. 如圖(四)所示之倍壓電路，其直流輸出電壓V_o約為何？
(A) 100V(B) 141V (C) 282V (D) 313V

9. 如圖 ( 五 ) 所示之箝位電路，假設二極體為理想二極體，且 RC ＞ 10 T，T 表時間常數，則有關輸出電壓 V_o的敘述，下列何者正確？
(A) V_o的最小值為– 8V (B) V_o的最小值為– 10V (C) V_o的最大值為10V (D) V_o的最大值為12V

10. 下列有關變容二極體( varactor)的電容C_T的大小之敘述，何者正確？ (A) 與逆向偏壓成正比 (B) 與順向偏壓成正比 (C) 與逆向偏壓無關 (D) 與逆向偏壓成反比

11. 就發光二極體(LED)之發光強度而言，下列敘述何者為正確？ (A) 與逆向電壓的平方成正比 (B) 與順向電流的平方成反比 (C) 與逆向電壓成反比 (D) 與順向電流成正比

12. 如圖(六)所示電路，稽納(Zener)二極體之崩潰電壓V_z=8V，則此稽納二極體之消耗功率大小為何？ (A) 16mW (B) 24mW (C) 64mW (D) 82mW

13. 下列何者適用在低壓( 0.7V以下)的整流器上？ (A) 變容( varactor)二極體 (B) 稽納(Zener)二極體 (C) 透納(tunnel)二極體 (D) 蕭基(Schottky)二極體

14. 如圖(七)所示，若稽納二極體 ( Zener diode )之崩潰電壓為10 V，負載電阻R_L = 5 k Ω，則該負載電阻之消耗功率為何？
(A) 10mW (B) 20mW (C) 50mW (D) 100mW

15. 如圖(八)所示電路，二極體視為理想二極體，則電路中之電流I 為何？
(A) 40mA (B) 20mA (C) 10mA (D) 5mA

16. 下列敘述何者正確？ (A) 理想的電壓調整率為無限大 (B) 漣波因數愈小，濾波效果愈佳 (C) 電壓調整率愈大電路愈穩定 (D) 負載電阻愈大或濾波電容愈大，輸出漣波電壓愈大

17. 某共射組態之電晶體電路，若I_B＝60μA，I_E＝6.06mA，則此電晶體之直流電流增益 β為何？ (A) 160 (B) 140 (C) 120 (D) 100

18. NPN電晶體若欲工作在作用區，則下列敘述何者正確？ (A) 基射接面需順偏，基集接面需反偏 (B) 基射接面需順偏，基集接面需順偏 (C) 基射接面需反偏，基集接面需順偏 (D) 基射接面需反偏，基集接面需反偏

19. 如圖(九)所示之電路，若＝10V，R_B＝100kΩ，R_C＝500Ω，＝0.7V，β＝100，則I_C約為何？

(A) 3.5mA (B) 4.7mA (C) 8.1mA (D) 9.3mA

20. 如圖(十)所示之電路，若＝0.7V，β＝100，則IC之值約為何？
(A) 1.43mA (B) 0.143mA (C) 14.3μA (D) 143μA

21. 電晶體當開關使用時，若開關為閉合狀態，則電晶體應工作於何區？ (A) 截止區 (B) 工作區 (C) 飽和區 (D) 線性區

22. 有一放大器的電流增益是40，電壓增益是250，則總功率增益為何？ (A) 20 dB (B) 40 dB (C) 60 dB (D) 100 dB

23. 如圖(十一)中之耦合電容C 之功用為何？
(A) 降低輸入阻抗 (B) 阻隔輸入電壓之直流成份 (C) 增加該電路之電壓增益 (D) 增加輸出阻抗

24. 某一放大器其前級放大器之電壓增益為20dB，後級放大器之電壓增益為30dB，則此放大器之總電壓增益為何？ (A) 60 dB (B) 50 dB (C) 30 dB (D) 20 dB

25. 如圖(十二)所示電路，電晶體為矽質，其 β=100， =0.7V，則之值約為何？
(A) 0.2V(B) 0.4V (C) 0.7V (D) 1.2V

26. N通道場效電晶體(FET)之電荷載子為何？ (A) 原子 (B) 質子 (C) 電洞 (D) 電子

27. 以三用電表量測JFET之G、S兩腳，其特性與下列何者相似？ (A) 電阻器 (B) 電容器 (C) 電感器 (D) 二極體

28. 一JFET偏壓電路，=–3V且電路操作於飽和區，則I_D為何？ (A) 0.8mA (B) 1.0mA (C) 2.0mA (D) 4.0mA

29. 如圖(十三)所示電路，R_G =1MΩ，R_D =1.2kΩ，R_S=1 kΩ，=16mA， V_P =– 8V，則I_D為何？

(A) 2mA (B) 3mA (C) 4mA (D) 5mA

30. FET是利用何種特性控制輸出側之電流？ (A) 電場效應 (B) 磁場效應 (C) 重力場效應 (D) 霍爾效應

31. N通道增強型MOSFET欲使之導通，則於G、S端電壓應加入偏壓為何？ (A) ≧V_t(B) ≦V_t(C) ≧0V (D) ≦0V

32. 如圖(十四)所示電路，為何？
(A) 4.5V (B) 5.2V (C) 6.2V (D) 7.5V

33. 如圖(十五)所示電路，MOSFET操作於飽和區，RD=3kΩ，MOSFET之r _d =40 kΩ，則R_o 約為何？ (A) 3.5 kΩ (B) 3.2 kΩ (C) 2.8 kΩ (D) 2.4 kΩ

34. 下列由理想OPA組成之應用電路，何者為正回授？ (A) 電壓隨耦器 (B) 非反向放大器 (C) 積分器 (D) 史密特(Schmitt)比較器

35. 下列何者非理想OPA之特性？ (A) 頻寬為無窮大 (B) 開路電壓增益為無窮大 (C) 共模拒斥比(CMRR)為零 (D) 抵補( off set)電壓為零

36. 由理想OPA組成之應用電路，下列何者之OPA兩輸入端不可視為虛短路？ (A) 積分器 (B) 微分器 (C) 磁滯比較器 (D) 非反向放大器

37. 某一OPA之轉動率(slew rate )=2V/μs，接成電壓放大電路，若要輸出峰對蜂值為10V 之弦波信號，則此電路能線性放大之最高頻率為何？ (A)300k / πHz (B)200k / πHz (C)100k / π Hz(D)20k / π Hz

38. 如圖(十六)所示電路，若為對稱三角波訊號，且電路未發生飽和，則輸出信號v_o為何？
(A) 弦波 (B) 方波 (C) 三角波 (D) 鋸齒波

39. 如圖(十七)所示理想OPA電路，R_f=100kΩ，R_i=20kΩ，若=1.2V，則輸出v_o為何？
(A) 7.2V (B) 6V (C) – 4.8V (D) – 6V

40. 如圖(十八)所示電路，若為對稱弦波訊號輸入，則輸出v_o為何？
(A) 方波 (B) 弦波 (C) 三角波 (D) 鋸齒波

41. 如圖(十九)所示之理想OPA電路，R_i為何？ (A) 7.5 kΩ(B) 10 kΩ (C) 40 kΩ (D) 60 kΩ

42. 十進位數字，以十六進位數表示應為何？ (A) (B) (C) (D)

43. 只要有一輸入為0，輸出即為1之邏輯閘為何？ (A) NAND (B) OR (C) AND (D) XOR

44. ，則邏輯運算(X．Y)為何？ (A)(B) (C)(D)

45. 如圖(二十)所示之邏輯閘電路，若X 之輸入時序信號為，Y 之輸入時序信號為，則輸出信號Z =？
(A) (B) (C) (D)

46. 某一放大器之順向增益為 α，回授因數為 β，欲組成振盪器，則需滿足下列何條件？ (A) |αβ |≥1 (B) |αβ |≤1 (C) |α/β |≥1 (D) |α/β |≤1

47. 下列何者非高頻振盪電路？ (A) 考畢子(Colpitts)振盪電路 (B) 哈特萊(Hartley)振盪電路 (C) 石英晶體振盪電路 (D) 韋恩(Wien )電橋振盪電路

48. 一正回授放大器電路形成之振盪器，其回授增益 β = 0.2，欲輸出產生穩定之正弦波，則放大器之電壓增益 A_v 應調整為何？ (A) 6 (B) 5 (C) 4 (D) 3

49. 下列有關一般MOSFET與BJT功率晶體切換操作之敘述，何者正確？ (A) MOSFET之耐壓較高 (B) BJT有較低之C、E端導通電阻 (C) BJT可做更高頻之切換控制 (D) MOSFET所需之閘極驅動功率較小

50. 下列何者非IGBT之特性？ (A) 具有MOSFET之高電壓增益 (B) 具有BJT之高電流增益 (C) 具有MOSFET之高輸入阻抗特性 (D) 具有MOSFET之高耐壓特性

申論題 (0)