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108年 - 108 專科學校畢業程度自學進修學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#81120

科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學 | 年份：108年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

選擇題 (50)

1. P型半導體與N型半導體結合時，會在PN接合面上形成空乏區，則空乏區靠近 N型側內 有下列何者？ (A) 電子 (B) 電洞 (C) 正離子 (D) 負離子
2. 使用三用電表之電阻檔測量二極體，假設二極體的順向電阻為 R 1及逆向電阻為 R2，若 二極體為良好，則下列敘述何者正確？ (A) R1的值非常小，R2的值亦非常小 (B) R1的值非常小，R2的值非常大 (C) R1的值非常大，R2的值亦非常大 (D) R1的值非常大，R2的值非常小

3. 如圖(一)所示之電路，若D 為理想二極體，則在2 kΩ 上的電壓和電流分別為何？ (A) 0V、0mA(B) 2V、2mA (C) 15V、3mA (D) 15V、5mA5df199aeccb7d.jpg

4. 如圖 ( 二 ) 所示之電路， D1、 D2為理想二極體， Vi為 50 sin 377 tV，則輸出電壓最大值 與最小值之差為何？5df199d17e740.jpg (A) 30V (B) 25V (C) 20V (D) 10V

5. 一全波整流器的輸入電壓之峰值為110V，則其輸出直流電壓約為何？ (A) 55V (B) 70V (C) 110V (D) 156V

6. 如圖(三)所示之電路，其中Vm為電壓最大值，若二極體視為理想時，則C2兩端之電壓 為何？5df19a25944b1.jpg (A) 3Vm (B) Vm (C) –Vm (D) – 2Vm

7. 有關透納二極體(Tunnel diode )的特點，下列何者正確？ (A) 能承受較大的逆向電壓 (B) 能作較大功率的整流用 (C) 能承受較大的順向電流 (D) 可作為高頻振盪用
8. 下列何種二極體的空乏區最窄？ (A) 變容二極體 (B) 透納二極體 (C) 稽納二極體 (D) 發光二極體
9. 稽納二極體(Zener diode )使用於穩壓時，是操作在下列何種模式？ (A) 濾波模式 (B) 整流模式 (C) 逆向崩潰模式 (D) 順向導通模式

10. 如圖(四)所示之電路，Vi=40V，Ri=2kΩ，稽納二極體之額定功率為125mW，VZ=10V， 欲維持穩定10V之負載電壓，則負載電阻RL之最大值為何？5df19a47a6c5f.jpg (A) 4 kΩ (B) 3 kΩ (C) 2 kΩ (D) 1 kΩ

11. 如圖(五)所示之電路，稽納二極體之稽納電壓為9V，則輸出電壓Vo為何？5df19a770d482.jpg (A) 12V  (B) 9V (C) 6V (D) 1V

12. 如圖(六)所示之箝位電路，若其輸入信號為 10sintV 時，則其輸出波形為下列何者？5df19a9f72bf9.jpg (A) 5df19ab0a3f70.jpg(B)5df19ac3d9a5a.jpg (C)5df19ad5f064e.jpg (D)5df19ae70ce56.jpg
13. 某電晶體由實驗得知 I B＝ 25 微安培， I C＝ 3 毫安培， V CE＝ 10 伏特，則此電晶體的 α 約為何？ (A) 0.92 (B) 0.964 (C) 0.985 (D) 0.992
14. 有關電晶體之偏壓電路的工作點，下列何者受 β 改變之影響最大？ (A) 集極回授偏壓電路 (B) 固定偏壓電路 (C) 分壓偏壓電路 (D) 自給偏壓電路
15. 某電晶體之 β 值為99，則其 α 值約為何？ (A) 0.92 (B) 0.94 (C) 0.97 (D) 0.99

16. 如圖(七)所示之電路，電晶體之 β=40，使電晶體飽和之最小IB值約為何？5df19b21329f0.jpg (A) 2mA (B) 1mA (C) 0.8mA (D) 0.5mA

17. 如圖 ( 八)為一矽電晶體放大器，設此電晶體的增益 β＝ 100，RB＝43 k Ω， RC＝250 Ω， VCC＝5V，則集極電流IC約為何？ (A) 10mA (B) 12mA (C) 14mA (D) 18mA5df19b477ec1a.jpg
18. 一放大器其輸入電壓是10mV，輸出電壓是1V，則該放大器的放大倍數為何？ (A) 60分貝 (B) 40分貝 (C) 30分貝 (D) 20分貝
19. 下列何種多級放大器最容易獲得最佳的阻抗匹配？ (A) R-C耦合 (B) 電感耦合 (C) 直接耦合 (D) 變壓器耦合
20. 對於需要具備低輸入阻抗、極高輸出阻抗，卻不要求電流增益的電路而言，最適合採用 哪一種形式的電晶體放大電路？ (A) 無射極電阻之共射極放大電路 (B) 有射極電阻之共射極放大電路 (C) 共集極放大電路 (D) 共基極放大電路
21. 下列哪一種元件是靠單一種載子來傳送電流？ (A) 場效電晶體 (B) 雙極性電晶體 (C) SCR (D) TRIAC
22. 有關場效電晶體FET的敘述，與雙極性電晶體BJT相較，下列何者正確？ (A) 輸入電流較大 (B) 輸入阻抗較高 (C) 雜訊較高 (D) 增益頻寬乘積通常比電晶體為佳
23. 有一空乏型 ( Depletion ) MOSFET 之 I DSS = 12 mA， VP = – 4.8 V， 求 V GS = – 2.4 V 時， I D之值為何？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA

24. 如圖 ( 九 ) 所示之電路，其參數值 gm = 2 mA / V， r d 為無窮大可忽略，若 RD = 10 k Ω， 則電壓增益為何？5df19c36715db.jpg (A) – 10 (B) – 15 (C) – 20 (D) – 30

25. 共汲極放大電路，若gm =8mS，RS=1kΩ，則此放大器之電壓增益為何？ (A) 9 (B) 8 (C) 5df19c5ef17a8.jpg (D)5df19c70ec4d5.jpg
26. 運算放大器(OPA)具有高輸入阻抗之特性，其設計目的為何？ (A) 降低OPA短路風險 (B) 可使輸入信號不致發生負載效應 (C) 保護OPA不致過載 (D) 避免輸入電壓過大
27. 下列何者非理想OPA之特性？ (A) 輸入阻抗為零 (B) 頻寬為無窮大 (C) 輸出阻抗為零 (D) 共模拒斥比(CMRR)無窮大
28. 某一OPA之轉動率(slew rate)=2V/μs，則輸出電壓由– 5V上升至+10V之最短時間為何？ (A) 2.5μ s (B) 5μs (C) 7.5μ s (D) 10μs

29. 如圖(十)所示之OPA電路，若VCC =15V，vi=0.6sin(1000t)V，Ri=60kΩ，Rf=300kΩ， 則vo=？ (A) 3.0 sin ( 1000 t)V (B) 0.1 sin ( 1000 t)V (C) – 0.1 sin (1000 t)V (D) – 3.0 sin ( 1000t)V5df19cb42a9d4.jpg
30. 下列何種OPA應用電路，其OPA輸入端不具有虛短路的特性？ (A) 史密特電路 (B) 積分器 (C) 微分器 (D) 電壓隨耦器

31. 如圖(十一)所示之理想OPA電路，Ri =30 kΩ，若vi =0.5 sin ( 2000 t)V，欲得v o的有效值 為2.828V，則Rf約為何？ (A) 180 kΩ  (B) 210 kΩ (C) 240 kΩ (D) 300 kΩ5df19cdcdc52e.jpg

32. 如圖(十二)所示之OPA電路，飽和電壓為± 12V，若vi=5V，則vo電壓為何？5df19d0e68aea.jpg (A) 12V (B) 10V (C) – 10V (D) – 12V

33. 如圖 ( 十三 ) 所示之理想 OPA 電路，若輸入信號 vi 為對稱方波，在不飽和情況下， 輸出信號 vo 之波形為何？ (A) 脈衝(impulse )波 (B) 弦波 (C) 對稱方波 (D) 三角波5df19d477f0a0.jpg
34. 試將十進位數字18.25(10 )，以二進位數表示： (A) 10001.1( 2 ) (B) 11010.1(2 ) (C) 10010.01(2 ) (D) 10010.0010( 2 )

35. 如圖(十四)所示之邏輯閘電路，若X 之輸入固定為1，Y 之輸入時序信號為10110010(2 )， 則輸出信號Z 為何？5df19d8abeb20.jpg (A) 10110010( 2 )(B) 00000000(2 ) (C) 11111111(2 ) (D) 01001101( 2 )

36. A=75E(HEX)，B=231(HEX)，則邏輯運算(A+B)=？ (A) 98F(HEX) (B) 77F(HEX) (C) 56F(HEX) (D) 210(HEX)

37. 一布林代數式Y =f(A,B)=5df19dc66e4c8.jpg(1,2,3 ) ，則Y =？ (A)5df19ddbb1159.jpg．B (B) 5df19ddbb1159.jpg+ 5df19e000d35f.jpg (C)5df19ddbb1159.jpg．5df19e000d35f.jpg (D) 5df19ddbb1159.jpg + 5df19e000d35f.jpg
38. 正反器真值表中，若clock標示為「↑」，則表示此正反器之時脈觸發方式為何？ (A) 高位準觸發 (B) 峰值觸發 (C) 正緣觸發 (D) 負緣觸發

39. 如圖(十五)所示之電路，則此電路完成何種功能之正反器？ (A) T型正反器  (B) JK正反器 (C) RS正反器 (D) D型正反器5df19e36ed13f.jpg

40. 如圖(十六)所示之電路，若vi為240 kHz之脈波訊號，則vo訊號之頻率為何？5df19e5a4d678.jpg (A) 15 kHz (B) 24 kHz (C) 36 kHz (D) 48 kHz

41. 如圖(十七)所示之理想OPA電路，若Rf =120kΩ，R1=20kΩ，R2=30kΩ，已知v2=1.2V， v o=– 2.4V，則v1=？ 5df19e9fd59eb.jpg(A) – 1.2V(B) – 0.4V (C) 0.4V (D) 1.2V

42. 一放大器以正回授方式形成振盪器，其回授增益 β = 0.125，欲使電路產生振盪，則 原放大器之最低電壓增益 Av 條件為何？ (A) 4 (B) 7.5 (C) 8 (D) 12.5
43. 振盪器要產生穩定的正弦波輸出，下列何者為其必備條件？ (A) 電路之迴路增益|α．β |>1 (B) 電路之迴路增益|α．β |=1 (C) 電路之迴路增益|α．β |<1 (D) 電路之迴路增益|α．β |=0
44. 有關振盪器之敘述，下列何者正確？ (A) 哈特萊電路常作為低頻振盪器使用 (B) 考畢子電路常作為低頻振盪器使用 (C) RC 相移電路常作為低頻振盪器使用 (D) LC 相移電路常作為低頻振盪器使用

45. 如圖(十八)所示之振盪器電路，下列敘述何者正確？ 5df19ed1611b6.jpg(A) v o 1之輸出為弦波 (B) vo 2之輸出為三角波 (C) 虛線方塊A 之電路為高通放大電路 (D) 虛線方塊B 之電路為史密特觸發電路
46. 下列何種振盪器可得最穩定之振盪頻率？ (A) 石英振盪器 (B) LC 相移振盪器 (C) 韋恩電橋振盪器 (D) 哈特萊振盪器
47. 有關閘流體之敘述，下列何者正確？ (A) SCR之關閉不可由閘極控制 (B) GTO之關閉不可由閘極控制 (C) SSS(Silicon Symmetrical Switch )之關閉可由閘極控制 (D) TRIAC之關閉可由閘極控制
48. 有關一般MOSFET汲、源極切換(switch )操作之敘述，下列何者正確？ (A) 較IGBT之耐壓低 (B) 較IGBT之動作時間慢 (C) 較IGBT之導通電阻大 (D) 較IGBT之飽和電壓高
49. 有關切換式電源供應器之敘述，下列何者為非？ (A) 利用切換動作之感應電壓特性做能量轉換 (B) 功率晶體之切換頻率愈高，電感須愈大 (C) 利用PWM切換原理控制輸出電壓 (D) 電路之切換頻率愈高，電源供應器之體積愈小
50. 一般常用之不斷電電源供應(UPS)，其主要電路功能為何？ (A) DC→AC換流器 (B) AC→DC整流器 (C) DC→DC轉換器 (D) AC AC變壓器

申論題 (0)