107年 - 107 專科學校畢業程度自學進修學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#78928

1. 純矽半導體中若摻入銻(Sb )元素的原子則形成下列何者？ (A) 帶電半導體 (B) P型半導體 (C) 本質半導體 (D) N型半導體

2. 如圖（一）所示之半波整流電路，假設二極體為理想二極體，若以三用電表 DCV 檔測量輸出電壓V_o，則其輸出電壓V_o為多少 V？(A)3.18(B)4.5(C)6.36(D)7.07

3. 如圖（二）所示之電路，假設二極體均為理想二極體，則其輸出直流電壓V_o為多少V？ (A) 100 (B) 141 (C) 200 (D) 282

4. 如圖（三）所示之電路，假設二極體為理想二極體，則輸出波形V_o為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

5. 如圖（四）所示之箝位電路，假設二極體為理想二極體，且 RC ＞ 10 T，則其穩態最大輸出電壓範圍為多少？ (A) – 4V～＋5V (B)＋4V～＋5V (C) – 2V～＋5V (D) – 4V～＋4V

6. 如圖（五）所示之電路，若二極體為理想二極體，則其輸出與輸入電壓之轉換特性曲線為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

7. 發光二極體(LED)所發出光的顏色與下列何者有關？ (A) 外加電流大小 (B) 外加電壓之頻率 (C) 二極體之材料 (D) 外加電壓大小

8. 有關稽納二極體(Zener diode )的敘述，下列何者正確？ (A) 是定電壓元件 (B) 具有負電阻特性 (C) 是定電流元件 (D) 工作在順向區

9. 下列何種二極體較適合於高頻使用？ (A) 稽納二極體 (B) 發光二極體 (C) 變容二極體 (D) 蕭特基二極體(Schottky diode )

10. 如圖（六）所示之電路，若V_i(t)=12sin377t V，稽納二極體之崩潰電壓V_{Z 1}=6V，V_{Z 2}=15V，假設稽納二極體之順向電壓降為0V，則輸出波形Vo為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

11. 有一電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，則此電晶體之 β 值為多少？ (A) 19 (B) 29 (C) 39 (D) 49

12. 如圖（七）所示之電路，若矽電晶體的 β＝50，且V_CC＝12.7V則V_C大約為多少V？ (A) 6.7 (B) 7.2 (C) 8.4 (D) 10.2

13. 若電晶體操作於線性區時，則下列敘述何者正確？ (A) 基射極接面順向偏壓且基集極接面順向偏壓 (B) 基射極接面順向偏壓且基集極接面逆向偏壓 (C) 基射極接面逆向偏壓且基集極接面逆向偏壓 (D) 基射極接面逆向偏壓且基集極接面順向偏壓

14. 如圖（八）所示之電路，射極旁路電容器C₃的作用是： (A) 濾去電源的漣波 (B) 阻止直流電通過射極電阻 (C) 防止短路 (D) 提高電壓增益

15. 有兩級串接放大器，其電壓增益分別為A_v1=50，A_v2=40，若第一級之輸入電壓V_i為100μV，則第二級之輸出電壓V_o為多少V？ (A) 0.2 (B) 0.4 (C) 2.0 (D) 4.0

16. 下列何者是低頻響應最好的放大器？ (A) 直接耦合放大器 (B) 電阻電容耦合放大器 (C) 變壓器耦合放大器 (D) 電感耦合放大器

17. 兩個電晶體，其 β 值各為100與150，則組成的達靈頓電路之總 β 值等於多少？ (A) 150 (B) 250 (C) 1500 (D) 15000

18. 如圖（九）所示之電路，若 β=100，V_BE =0.7V，V_CE =4V，R_E =1kΩ，I_C=2mA，則R_C 之值為何？ (A) 3 kΩ (B) 4 kΩ (C) 5 kΩ (D) 6 kΩ

19. 就達靈頓結構(Darlington - pair)而言，下列敘述何者正確？ (A) 高輸出阻抗，電流增益亦甚高 (B) 高輸出阻抗，電流增益小於1 (C) 高輸入阻抗，電流增益甚高 (D) 低輸入阻抗，電流增益等於1

20. 將場效電晶體(FET)作為放大器的第一級，最主要是具有下列何者特點？ (A) 輸出阻抗大 (B) 輸入阻抗小 (C) 電流增益大 (D) 輸入阻抗大

21. 共汲極放大器的輸出電壓與輸入電壓相差幾度？ (A) 0 (B) 90 (C) 180 (D) 270

22. 如圖（十）所示電路，若電路中的I_D =4mA，則V_GS為多少？ (A) ＋4V） (B) – 4V (C) ＋6V (D) – 6V

23. 有一個 JFET，已知 I _DSS= 6 mA， V_GS ( OFF ) = – 6 V，當其工作於 V _GS = – 3 V 時， I _D約為多少？ (A) 1mA (B) 1.5mA (C) 2.5mA (D) 5mA

24. 若V_T為臨界電壓，N通道增強型MOSFET的閘-源電壓V_GS，下列何者才能使汲極電流I_D 導通？ (A) V_GS ＞0，V_GS ＞VT (B) V_GS＞ 0，V_GS ＜VT (C) V_GS ＜ 0，V_GS ＜VT (D) V_GS＜ 0，V_GS ＞VT

25. 如圖（十一）所示之電路，若g_m =2mS，則其電壓增益約為多少？ (A) – 2 (B) – 6 (C) – 8 (D) – 12

26. 差動放大能相除雜訊，是基於一般雜訊之何種特性？ (A) 單端同相 (B) 雙端同相 (C) 單端反相 (D) 雙端反相

27. 下列有關理想運算放大器之敘述，何者錯誤？ (A) 開路電壓增益A_v→ ∞ (B) 放大頻寬BW → ∞ (C) 輸入阻抗R_i → ∞ (D) 輸出阻抗R_o → ∞

28. 如圖（十二）所示之理想 OP 放大器電路，若 R_a = 10 kΩ， R_i= 30 kΩ， R_f = 180 kΩ，則此放大器之電壓增益Av為何？ (A) 90 (B) 60 (C) – 60 (D) – 90

29. 下列運算放大器應用電路之工作特性，何者非負回授放大器？ (A) 儀表放大器 (B) 積分器 (C) 史密特觸發器 (D) 微分器

30. 如圖（十三）所示之理想運算放大電路，若V_CC =15V，v_in=0.5 sin ( 200 t)V，R_i=20kΩ， R_f=120kΩ，則v_o之最大震幅為何？ (A) 2.5V (B) 3V (C) 3.5V (D) 5.5V

31. 如圖（十四）所示之理想積分放大電路且電容無儲能，若V_CC=15V，v_in=5 sin ( 200t)V， R_i=10 kΩ，C_f=1µF，則輸出電壓v_o為何？ (A) – 5 cos( 200 t)V (B) – 2.5 cos( 200 t)V (C) 2.5 cos( 200 t)V (D) 5 cos( 200 t)V