試題詳解

試卷：111年 - 111 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#111746 | 科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

試卷名稱：111年 - 111 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程_專業科目(二)：電子學#111746

年份：111年

科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

49. 下列有關一般MOSFET與BJT功率晶體切換操作之敘述，何者正確？
(A) MOSFET之耐壓較高
(B) BJT有較低之C、E端導通電阻
(C) BJT可做更高頻之切換控制
(D) MOSFET所需之閘極驅動功率較小

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B1 · 2025/07/13

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