試題詳解

試卷：108年 - 108-1 技術士技能檢定學科測試試題-甲級：11600 電力電子#81932 | 科目：技檢◆電力電子-甲級

試卷名稱：108年 - 108-1 技術士技能檢定學科測試試題-甲級：11600 電力電子#81932

年份：108年

科目：技檢◆電力電子-甲級

複選題
71. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)，下列敘述何者正確？
(A)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
(B)增強型 P 通道與空乏型 N 通道特性完全相同
(C)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
(D) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大。

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