複選題
重新載圖重新載圖19 如圖所示之放大器,若電晶體操作於飽和區,且其高頻 3dB 頻率 ωH遠高於低頻 3dB 頻率 ωL,忽略 元件本身之寄生電容,下列敘述何者錯誤? 
(A)降低 RS可提高中頻增益
(B)降低 CS可增加 ωH - ωL
(C)降低 CD可增加 ωH - ωL
(D)增加 RG可增加 ωH - ωL

(A)降低 RS可提高中頻增益
(B)降低 CS可增加 ωH - ωL
(C)降低 CD可增加 ωH - ωL
(D)增加 RG可增加 ωH - ωL
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統計: A(32), B(61), C(51), D(48), E(5) #845951
統計: A(32), B(61), C(51), D(48), E(5) #845951
詳解 (共 10 筆)
#1483470
阿摩請改題目和答案,題目下列敘述何者正確?答案:D
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#1484040
D---> B / C 皆錯
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#1484194
pole大大可以詳解一下嗎
這題我有兩個問題
1)旁路電容影響的應該是低頻不良 為何這題求得是高頻W?
2)1/RsCs+1/RdCd=W 所以四個參數不論誰下降 W都是上升的 為何大大會認為說BCD皆錯了!?
感謝解答
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#1225933
????
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