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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#45963
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重新載圖
38 設V
BE
=0.7V,則圖中的電流IC約為:
(A) 10.0mA
(B) 6.0mA
(C) 4.3mA
(D) 3.8mA
答案:
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統計:
A(2), B(3), C(40), D(23), E(0) #1201299
詳解 (共 6 筆)
declin7912(鐵特上榜)
B2 · 2017/04/18
#2140675
這題應該有問題算出來4.3mA沒錯但這電...
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sv(邀請碼232196)
B3 · 2017/04/29
#2161398
答D給分
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劉政文
B7 · 2018/06/02
#2829624
樓上抱歉沒看清楚
原來有改答案阿...
答案是D沒錯XDD
所以沒事><
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【站僕】摩檸Morning.
B4 · 2017/05/02
#2166131
原本答案為C,修改為D
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Derek Fang
B1 · 2016/11/15
#1517203
Vcc-Vbe=ib(Rb+Re)+ic*Re
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劉政文
B5 · 2018/04/09
#2714585
2F他說約多少所以取最接近的的確是D唷~
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/31
私人筆記#7691287
未解鎖
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1 有關 DRAM(動態隨機存取記憶體)與 SRAM(靜態隨機存取記憶體)的敘述,下列何者正確? (A) SRAM 需要重新充電(refresh) (B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜 (C) DRAM 結構需用到電容效應 (D) DRAM 屬非揮發性記憶體
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#1201265
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#1201268
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#1201269
9 下列何者為齊納(Zener)二極體作為穩壓用時的工作區域? (A)Ⅰ (B)Ⅱ (C)Ⅰ及Ⅱ (D)Ⅲ
#1201270
10 利用浮動閘極電晶體(Floating-Gate Transistor)的記憶細胞(Memory Cell)為: (A) SRAM(靜態隨機存取記憶體) (B) EPROM(可擦式及可程式唯讀記憶體) (C) DRAM(動態隨機存取記憶體) (D) ROM(唯讀記憶體)
#1201271
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