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初等/五等/佐級◆電子學大意
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107年 - 107 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#67405
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1如圖所示為理想運算放大器之電路,R
1
= 2 kΩ、R
2
= 10 kΩ、R
3
= 2 kΩ,試求其輸入阻抗 R
i
為多少?
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 10 kΩ
答案:
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統計:
A(17), B(86), C(4), D(0), E(0) #1729475
私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/01/15
私人筆記#5708216
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大...
(共 192 字,隱藏中)
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相關試題
2 如圖所示符號為下列何種元件? (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS
#1729476
3 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度, 此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層? (A) A 層 (B) B 層 (C) C 層 (D) D 層
#1729477
4 有一運算放大器如下圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為 V3 =1002× V2 − 998×V1,請 問其差動電壓增益(differential gain)約為多少? (A) 10 dB (B) 20 dB (C) 40 dB (D) 60 dB
#1729478
5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體(Si-CMOSFET)電路及輸入電壓 vI 的波形如下所示, VDD = 5 V,假設兩個電晶體 QP、QN的特性參數一致,即通道導通臨界電壓(threshold voltage)的絕 對值均為| Vth | = 0.5 V,相同的轉導值(transconductance)與幾何參數,亦即 。 試研判下列波形何者最接近輸出電壓 vO的波形? (A) (B) (C) (D)
#1729479
6 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示,VCC = 5 V, R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1的集 極電流比較低的時間點: (A) 0 (B) t1 (C) T (D) t2
#1729480
7 二極體順向導通時,下列何者正確? (A)在 N 端加相對正電壓,在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端 (B)在 N 端加相對負電壓,在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端 (C)在 N 端加相對正電壓,在二極體內部中電流從 N 端流向 P 端 (D)在 N 端加相對負電壓,在二極體內部中電流從 N 端流向 P 端
#1729481
8 如圖中 NPN 雙極性電晶體,β = 100,電晶體基射極的順偏電壓設為 0.8 V,飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少? (A) 12 (B) 22 (C) 80 (D) 100
#1729482
9 一個 OP AMP 的輸出的上下限為 ± 10 V,迴轉率(slew rate)為 1 V/μs,單增益頻寬 ft = 1 MHz。若 輸出電壓為如圖所示之三角波(triangle wave),所能操作的最大頻率最接近下列何值? (A) 5 kHz (B) 50 kHz (C) 100 kHz (D) 1 MHz
#1729483
10 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為 25℃時,飽和電流(saturation current)Io = 2 μA,試問當溫 度升高到 55℃時,飽和電流為多少? (A) 32 μA (B) 16 μA (C) 8 μA (D) 4 μA
#1729484
11 如圖為雙極性差動式放大器,已知電晶體 Q1和 Q2的基極內電阻 rπ、射極內電阻 re、轉導 gm、共基 極電流增益 α 和共射極電流增益 β» 1 等參數均相同,試求差動增益 Ad = vod /vid之值? (A) RC/rπ (B) RC/2rπ (C) RC/re (D) RC/2re
#1729485
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