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初等/五等/佐級◆電子學大意
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95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#49721
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試題詳解
試卷:
95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#49721 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#49721
年份:
95年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述,下列何者正確?
(A) 利用電晶體內的寄生電容儲存資料
(B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料
(C) 利用電晶體內寄生的閂瑣現象(Latch-Up)儲存資料
(D)利用電晶體控制一個閂瑣電路(Latch)儲存資料
正確答案:
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詳解 (共 2 筆)
nba17240
B1 · 2021/04/17
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未解鎖
DRAM是電容、SRAM是正反器
(共 18 字,隱藏中)
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/12/10
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未解鎖
這是一道關於電腦記憶體硬體結構的基礎題目...
(共 2250 字,隱藏中)
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