10 場效電晶體(FET)之門檻(threshold)電壓 Vth之敘述何者正確?
(A)加強型(enhancement)NMOS Vth<0
(B)乏型(depletion)NMOS Vth>0
(C)加強型(enhancement)PMOS Vth>0
(D)加強型(enhancement)PMOS Vth<0

答案:登入後查看
統計: A(3), B(13), C(10), D(73), E(0) #677823

詳解 (共 1 筆)

#3824655
加強型(enhancement)PMOS...
(共 35 字,隱藏中)
前往觀看
1
0