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初等/五等/佐級◆電子學大意
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106年 - 106 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#62347
> 試題詳解
10 當理想運算放大器接成電壓隨耦器(voltage follower)應用時,下列敘述何者錯誤?
(A)電壓增益為 1
(B)輸入阻抗為無窮大
(C)輸出端接至運算放大器的同相輸入端
(D)輸出阻抗為零
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統計:
A(27), B(7), C(247), D(18), E(0) #1607649
詳解 (共 1 筆)
中華電已上榜
B1 · 2017/06/25
#2293091
電壓隨耦器Vi=無限大 Vo=0增益為一...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/26
私人筆記#7591093
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相關試題
1 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者? (A)N-channel MOSFET(N 通道金氧半場效電晶體) (B)P-channel MOSFET(P 通道金氧半場效電晶體) (C)CMOSFET(互補式金氧半場效電晶體) (D)FIN FET(鰭式場效電晶體).
#1607640
重新載圖 2 如圖所示之電路,OP AMP 為理想。求 vo / vi: (A)-1/4 (B)-1/3 (C) -1 (D) -3
#1607641
3 CMOS 場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的? (A)PN 接合型場效電晶體 (B)MOS 空乏型場效電晶體 (C) MOS 增強型場效電晶體 (D)各型場效電晶體都可以
#1607642
4 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益,應選擇下列那一種放大器組態? (A)共閘極組態 (B)共源極組態 (C)共汲極組態 (D)都可以
#1607643
5 一個正脈波(窄幅波)中,高、低電位各為 6 伏特與 1 伏特,對應之工作週期分別為 20% 與 80%。 問此正脈波的平均電壓為多少? (A)1 伏特 (B)2 伏特 (C) 5 伏特 (D) 6 伏特
#1607644
6 有一 JFET,其 IDSS = 12 mA,VGS(off)= - 4 V,則在偏壓點 VGS= - 1.5 V 時,此 JFET 的 gm值為何? (A)7.5 毫姆歐 (B)7.5 毫歐姆 (C) 3.75 毫姆歐 (D) 3.75 毫歐姆
#1607645
7 如圖所示為雙極性電晶體 Q 接成共射極組態,若逆向飽和電流為 ICBO且電流增益為 β,試問電晶體 Q 的截止條件為何? (A)iB = 0,iC = 0,iE = -ICBO (B)iE = 0,iC = ICBO,iB = -ICBO (C) iB = 0,iC =βICBO,iE = -(1+β)ICBO(D) iB = -ICBO,iC = ICBO,iE = (1+β)ICBO
#1607646
8 有一共汲極放大器(common-drain amplifier),其增益為 A = 0.9,且 Cgs = 50 fF,Cgd = 10 fF,則其 輸入電容(input capacitance)應為多少 fF? (A)510(B)90 (C) 45 (D) 15
#1607647
9 下列有關 FET 與 BJT 特性比較的敘述,何者最為正確? (A)BJT 雜訊較低 (B)FET 輸入阻抗較高 (C) BJT 高頻響應較差 (D) FET 增益頻寬的乘積較 BJT 為大
#1607648
11 有 一放大器電路如圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器,其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之 間,二極體 D1 順向電壓 VD0=0.7 V。若電阻 R1=1 kΩ,電源 VI=-5 V,試問節點 B 的電壓 VB應落 在下列何範圍內? (A)VB ≧ -4.0V (B)-4.0V > VB ≧ -4.5V (C)-4.5V > VB ≧ -5.0V (D)-5.0V > VB
#1607650
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