10 若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 Vt,其參數電流 IDSS 是電晶體:
(A)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=0V 之電流
(B)工作在三極管區(Triode)且電壓 VGS=Vt 之電流
(C)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=0V 之電流
(D)工作在飽和區(Saturation)且電壓 VGS=Vt 之電流
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統計: A(34), B(25), C(173), D(53), E(0) #1928705
統計: A(34), B(25), C(173), D(53), E(0) #1928705