10 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為：
(A) SRAM（靜態隨機存取記憶體）
(B) EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體）
(C) DRAM（動態隨機存取記憶體）
(D) ROM（唯讀記憶體）

其他試題