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試卷名稱：115年 - 114 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程：電子學#137370
年份：115年
科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學
12. 下列哪一原因是造成金氧半場效電晶體 ( MOSFET )操作在飽和區時，汲極電流會隨著 VDS增加而增加？
(A) 通道長度調變
(B) 基板效應
(C) 穿隧效應
(D) 虛短路