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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28930
> 試題詳解
13 如下圖所示電路,何者提供直流偏壓的負回授?
(A)R
B1
(B)R
B2
(C)R
C
(D)R
E
答案:
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統計:
A(5), B(10), C(9), D(139), E(0) #979566
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/20
#1195884
(共 1 字,隱藏中)
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6
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/28
私人筆記#7679390
未解鎖
題目解析:BJT 偏壓電路中的負回授元...
(共 253 字,隱藏中)
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其他試題
9 關於 P-N 接面二極體之敘述,下列何者錯誤? (A) P 型區域為加入三價雜質 (B) N 型區中空乏區離子帶負電 (C)順向偏壓時擴散電容增加 (D)逆向偏壓時空乏電容減少
#979562
10 下列何者是形成 pn 接面位能障礙(Barrier)的主要原因? (A)空乏區內的磁場 (B)空乏區內的電場 (C)空乏區內的電容 (D)空乏區內的電感
#979563
11 雙極性接面電晶體ICBO逆向電流受環境溫度之影響是: (A)溫度每下降 1℃時,則增加 1 倍 (B)溫度每上升 1℃時,則增加 1 倍 (C)溫度每下降 10℃時,則增加 1 倍 (D)溫度每上升 10℃時,則增加 1 倍
#979564
12 如下圖所示放大器,若電晶體操作於主動區(Forward Active Region)假設 C 為無窮大且忽略爾利效 應(Early Effect),Vi 為輸入,Vo 為輸出,下列敘述何者正確? (A)該放大器為反相放大器 (B)增加 R1 則增益減少 (C)增加電流 Ib 可增加增益 (D)增加VCC可減少增益
#979565
14 當一BJT電晶體工作在主動模式(Active-Mode)時,IB、I B C、IE間之大小關係為何? (A) IE >IC >IB(B) IC<IB <I E(C) IE=IC =IB (D)IB <IE < IC
#979567
15 雙極性接面電晶體(BJT)中,下列那種電路組態其輸出阻抗最小? (A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)射-基極組態
#979568
16 共射極(CE)放大器的高頻響應較差,其主要原因為: (A)爾利效應(Early Effect) (B)通導長度調變效應(Channel Length Modulation Effect) (C)溫度效應(Temperature Effect) (D)米勒效應(Miller Effect)
#979569
17 如下圖所示之電路,若BJT操作在主動區(Forward Active Region),轉導值(gm)為 10 mA/V,β = 40, 若忽略元件之輸出阻抗 (ro),試求 Vo/V i =? (A) 10/11 (B) 82/83 (C) 400 (D) 410
#979570
18 如下圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數 gm、 re、rπ 及輸出電阻ro 均為已知,各外加電容均極大。若電晶體之α ≅1,ro → ∞ ,則電壓增益 為: (A) gm RB (B) RC/ RB (C)RC / rπ (D) IRC /VT
#979571
19 如下圖所示之理想運算放大器電路,其中 Ao = ∞ ,求輸出電壓為何? (A)-2V (B)-6V (C)-10V (D)-12V
#979572