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初等/五等/佐級◆電子學大意
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92年 - 92 初等考試_電子工程:電子學大意#18255
> 試題詳解
14 下列何種元件有可能會產生熱跑脫(Thermal Runaway)現象?
(A)MOSFET
(B)真空管
(C)BJT
(D)JFET
答案:
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統計:
A(6), B(17), C(63), D(0), E(0) #677867
詳解 (共 2 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/09
#2180123
熱跑脫所指的情況是,當溫度增高時引發的變...
(共 274 字,隱藏中)
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hchungw
B2 · 2023/08/18
#5914554
BJT - 是最容易發生熱跑脫的元件,因為其基-射極電流會隨著溫度上升而增加,從而導致更大的導通電流,這可能導致正反饋並導致熱跑脫。
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相關試題
15 一個 BJT,如基極電流為 0.3 mA,集極電流為 0.9 mA,β的最小值特定為 30,此 BJT 操作在: (A)主動態區(B)截止區(C)三極體區(D)飽和區
#677868
16 對 B 類放大器而言,下列何者不正確? (A)只工作在飽和區 (B)靜態不消耗功率 (C)有交越失真(Crossover Distortion) (D)功率轉換效率最高約 78.5%
#677869
17 一個 BJT 電路的操作點(Operating Point)為 Q(如下圖所示),此放大器為: (A)A 類 (B)B 類 (C)AB 類 (D)C 類
#677870
18 在分析一般運算放大器應用電路時,下列何者是不正確的假設? (A)存在負回授 (B)每一個運算放大器的兩個輸入端電位相同 (C)流入每一個運算放大器輸入端的電流為零 (D)運算放大器(741)中有三個零點(ZEROs)
#677871
19 理想的轉阻放大器(Transresistance Amplifier)的輸入電阻 Ri及輸出電阻 Ro分別為: (A)Ri = 0,Ro = 0 (B)Ri = 0,Ro = ∞ (C)Ri = ∞,Ro = 0 (D)Ri = ∞,Ro = ∞
#677872
20 對一個內部補償(Internally Compensated)的運算放大器,直流電壓放大率為 100 分貝,開迴路放大率的三分 貝頻率為 10 Hz,則在 100 Hz 時的運算放大器的放大率約為: (A) 10 分貝 (B) 40 分貝 (C) 60 分貝 (D) 80 分貝
#677873
21 下列何者不是基本單級(Single-Stage)積體電路 MOS 放大器?
#677874
22 對理想運算放大器,下圖的輸入電阻為: (A)10 KΩ (B)20 KΩ (C)30 KΩ (D)100 KΩ
#677875
23 下列何者對 MOSFET 為正確? (A)空乏型(Depletion)MOSFET 不可操作在加強區(Enhancement mode) (B)空乏型 MOSFET 的 VGS = 0 時,汲極(Drain)電流為 0 (C)加強型(Enhancement)MOSFET 可操作在空乏區(Depletion mode) (D)加強型 MOSFET 的 VGS = 0 時,汲極電流為 0
#677876
24 741 運算放大器的內部電路中沒有下述那一種電路? (A)輸入級(B)放大級(C)整流級(D)輸出級
#677877
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