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初等/五等/佐級◆電子學大意
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105年 - 105 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#52635
> 試題詳解
16 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之 gm=0.5 mA/V,V
A
=∞,R
D
=5 kΩ,則此放大器的電壓 增益 |Av|為:
(A)0
(B)2 V/V
(C)2.5 V/V
(D)∞
答案:
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統計:
A(12), B(13), C(252), D(19), E(0) #1329645
詳解 (共 3 筆)
pole~zero
B1 · 2016/06/22
#1391211
6
1
劉政文
B4 · 2018/05/03
#2764301
負號是因為Vo電流反向唷~
(共 15 字,隱藏中)
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2
0
V字白喵(臺鐵電務佐級)
B3 · 2018/03/15
#2672635
gm=0.5-gm=-0.5
(共 16 字,隱藏中)
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1
0
其他試題
12 圖中為一由兩個 5.7 V 稽納(Zener)二極體所構成的截波電路,其順偏時的電壓為 0.7 V,請問輸入 波形被截波的電壓為何? (A)±1.4 V (B)±5 V (C)±6.4 V (D)±11.4 V
#1329641
13 圖示整流電路,輸入 vI為弦波,若二極體 D 的導通角度變大,下列敘述何者為其可能原因? (A)vI的週期變大 (B)vI的峰值電壓變大 (C)電容值 C 變大 (D)電阻值 R 變大
#1329642
14 如圖電路,稽納二極體的 Vz=5 V,電源 V=10 V,R=2 kΩ,則 RL的最小值 RLmin約為多大? (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)3 kΩ (D)4 kΩ
#1329643
15 如圖電路,設二極體為理想二極體。I=1 mA,E=10 V,R=10 kΩ,則流經二極體之電流 ID為多大? (A)0 mA (B)0.5 mA (C)1 mA (D)2 mA
#1329644
17 關於下列之放大器,若電晶體操作於飽和區,且電流源為理想,下列敘述何者錯誤? (A)Ibias增加,若電晶體維持操作於飽和區,則其電壓增益越大 (B)Cs=0 則其電壓增益為 0 (C)若 W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區(triode region) (D)若 RD增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區(triode region
#1329646
18 如圖的放大器(其偏壓電路未示),若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro,則此放大器的電壓 增益約為何? (A)-gmRC (B)-gm(RC//ro) (C)-RC/RE (D)-ro/RE
#1329647
19 雙極性接面電晶體中,下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大? (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
#1329648
20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍,可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID 來達成? (A)將 ID增為 4 倍 (B)將 ID增為 2 倍 (C)將 ID增為 倍 (D)將 ID減半
#1329649
21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較,下列何者錯誤? (A)BJT 的轉導(Transconductance)gm比 FET 的轉導大 (B)BJT 的輸出電阻 ro比 FET 的輸出電阻小 (C)BJT 的本質增益(Intrinsic Gain)A0比 FET 的本質增益大 (D)BJT 的輸入阻抗 Ri比 FET 的輸入阻抗小
#1329650
22 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出 阻抗(ro)為 10 kΩ,試求 Vo/Vi=? (A)-2.5 (B)-5 (C)-10 (D)-20
#1329651