105年 - 105 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#52635

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：105年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1某一內部補償的運算放大器，其直流開迴路增益為 100 dB，單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為 2 MHz，求頻率在 2 kHz 時的開迴路增益？ (A)10 dB (B)20 dB (C)30 dB (D)60 dB

2 一運算放大器其增益為3×10 ⁵ ，直流供應電壓為±12 V，最大輸出電壓變化範圍為±11.5 V，當其正輸入端與負輸入端電壓分別為 50 μV 和 90 μV，其輸出電壓為何？ (A)11.5 V (B)-11.5 V (C)12 V (D)-12 V

3 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為 0.628 V/μs，當輸入電壓振幅為 5 V 之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？ (A)1 kHz (B)2 kHz (C)10 kHz (D)20 kHz

4 圖中邏輯電路的輸出信號 Y 為何？

(A) Y = A + B + C + D (B)Y = ABCD (C) Y = (A + B)(C+ D) (D) Y =

5 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列何項敘述正確？ (A)β 定義為 IB/IC (B)相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和 (C)β 值大小與溫度無關 (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於 β

6 關於 P-N 接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？ (A)逆向崩潰電壓較順向導通電壓為大 (B)PN 區域雜質濃度越高，若發生稽納式崩潰（Zener breakdown）時，崩潰電壓越大 (C)溫度越高，若發生雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）時，崩潰電壓越大 (D)雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓較稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓為大

7 如圖所示之電路為何種濾波器？ (A)低通 (B)帶通 (C)高通 (D)全通

8 將砷（As）元素經熱擴散摻進純矽晶體中且取代矽原子，此矽晶體將成為何種摻雜型式半導體？ (A)正（P）型 (B)負（N）型 (C)以上皆有可能 (D)無法確定

9 圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號的峯值為 V_m，請問在那兩個端點間可得到 4 V_m的輸出？

(A)A、B 端點 (B)A、C 端點 (C)F、E 端點 (D)F、D 端點

10 如圖所示，跨於二極體的電壓 V_D應為：

(A)0.7 V (B)-5 V (C)-7 V (D)-10 V

11 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓 v_s為一交流弦波，大小為 110 Vrms，頻率為 60 Hz， R=25 Ω，則 i_o之均方根值（rms）為何？

(A)2.11 A (B)3.11 A (C)4.11 A (D)5.11 A

12 圖中為一由兩個 5.7 V 稽納（Zener）二極體所構成的截波電路，其順偏時的電壓為 0.7 V，請問輸入波形被截波的電壓為何？

(A)±1.4 V (B)±5 V (C)±6.4 V (D)±11.4 V

13 圖示整流電路，輸入 vI為弦波，若二極體 D 的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？ (A)vI的週期變大 (B)vI的峰值電壓變大 (C)電容值 C 變大 (D)電阻值 R 變大

14 如圖電路，稽納二極體的 V_z=5 V，電源 V=10 V，R=2 kΩ，則 R_L的最小值 R_Lmin約為多大？

(A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)3 kΩ (D)4 kΩ

15 如圖電路，設二極體為理想二極體。I=1 mA，E=10 V，R=10 kΩ，則流經二極體之電流 I_D為多大？

(A)0 mA (B)0.5 mA (C)1 mA (D)2 mA

16 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 gm=0.5 mA/V，V_A=∞，R_D=5 kΩ，則此放大器的電壓增益 |Av|為： (A)0 (B)2 V/V (C)2.5 V/V (D)∞

17 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？ (A)I_bias增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大 (B)Cs=0 則其電壓增益為 0 (C)若 W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region） (D)若 R_D增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region

18 如圖的放大器（其偏壓電路未示），若電晶體的轉導參數為 g_m，輸出電阻為 r_o，則此放大器的電壓增益約為何？ (A)-g_mR_C (B)-g_m(RC//r_o) (C)-R_C/R_E (D)-r_o/R_E

19 雙極性接面電晶體中，下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態

20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 I_D來達成？ (A)將 I_D增為 4 倍 (B)將 I_D增為 2 倍 (C)將 I_D增為

倍 (D)將 I_D減半

21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？ (A)BJT 的轉導（Transconductance）g_m比 FET 的轉導大 (B)BJT 的輸出電阻 r_o比 FET 的輸出電阻小 (C)BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A₀比 FET 的本質增益大 (D)BJT 的輸入阻抗 R_i比 FET 的輸入阻抗小

22 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（g_m）為 1 mA/V，輸出阻抗（r_o）為 10 kΩ，試求 V_o/V_i=？ (A)-2.5 (B)-5 (C)-10 (D)-20

23 圖示電路，若電晶體 β=100，V_BE(on)=0.7 V，電流 I_C約為若干 mA？ (A) 0.2 (B)0.4 (C)0.7 (D)1.3

24 P 通道空乏型 MOSFET 閘極加上正電壓時，其通道導通程度會： (A)減小 (B)加大 (C)無影響 (D)不一定

25 如圖電路，設電晶體的 β=100，V_BE=0.7 V，則 I_C電流約為：

(A)19.6 mA (B)9.3 mA (C)0.1 mA (D)0 mA

26 圖示放大器電路中的電阻 R_e主要功用為何？

(A)降低輸出阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提高輸入訊號的線性放大範圍 (D)頻率補償

27 在 BJT 的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？ (A)r_e=V_T/I_E (B)r_π=V_T/I_B (C)g_m=I_C/V_T (D)ro=V_T/I_C

28 如圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，I_C=1 mA，V_T=26 mV， β=100，C_π=100 fF，C_μ=20 fF，且 C_CS=30 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求於 BJT 輸入端之極點頻率為何？ (A)516 MHz (B)616 MHz (C)716 MHz (D)816 MHz

29 如圖所示之電路，若忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？

(A)該電路為高通放大器 (B)增加 I_b有助於降低低頻-3 dB 頻率（ω_L ） (C)C_c增加有助於降低低頻-3 dB 頻率（ω_L） (D)該電路為同相放大器

30 如圖所示之理想運算放大器電路， phpalhQOq

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，求ω_n為何？ (A)10K rad/s (B)50 K rad/s (C)100K rad/s (D)200 K rad/s phpPGYCBl

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31 非反向運算放大器電路具有增益 40 dB，其 3 dB 頻率為 25 kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要 50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？ (A)10 V/V (B)20 V/V (C)50 V/V (D)100 V/V

32 關於 CC-CC 放大器的特性，下列何者正確？ (A)低輸入阻抗 (B)高輸出阻抗 (C)高電壓增益 (D)高電流增益

33 若增加差動放大器中之射極電阻，則： (A)A_cm增加 (B)A_cm不變 (C)CMRR 值增加 (D)CMRR 值減少

34 圖示差動放大器，若電晶體 Q₁與 Q₂的特性相同，Q₃與 Q₄的特性相同，且其轉導（Transconductance） g_m皆為 2 mA/V、輸出電阻 r_o皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 A_d=v_o/v_id=？

(A)-20 (B)-10 (C)10 (D)20

35 有一電路的轉移函數

，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與 |T(s)|的變化關係，下列何者正確？ (A)頻率每增大十倍，|T(s)|減少 10 dB (B)頻率每增大十倍，|T(s)|減少 20 dB (C)頻率每增大二倍，|T(s)|減少 10 dB (D)頻率每增大二倍，|T(s)|減少 20 dB

36 下圖由 5 個 NOT 閘組成之環形振盪器，若每一個 NOT 閘的延遲時間（Delay Time）為 2 ns，則此電路之振盪頻率為多少？

(A)25 MHz (B)50 MHz (C)100 MHz (D)125 MHz

37 一個兩級串接放大器電路，其第一級放大器之低 3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）與高 3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為 1 kHz 與 1 MHz。電路中第二級放大器之低 3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）與高 3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為 10 kHz 與 2 MHz。則此放大器之頻寬約為： (A)990 kHz (B)999 kHz (C)1990 kHz (D)1999 kHz

38 關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？ (A)振盪波形為方波 (B)振盪波形為三角波 (C)振盪波形為單一脈波 (D)振盪波形為弦波

39 圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配，所有電晶體的|V_A|=2 V，過驅電壓（Overdrive voltage） |V_OV|=|V_GS－V_t |=0.2 V，工作電流 I_D皆為 0.2 mA，則輸出阻抗 R_o約為若干 kΩ？ (A)50 (B)100 (C)150 (D)200

40 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？

(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器

申論題 (0)