阿摩線上測驗
17 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？
(A)Ibias增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大
(B)Cs=0 則其電壓增益為 0
(C)若 W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）
(D)若 RD增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region
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統計： A(27), B(90), C(115), D(38), E(0) #1329646
統計： A(27), B(90), C(115), D(38), E(0) #1329646
詳解 (共 4 筆)
我只是略懂
#3307256
(B)不考慮頻率響應時，一般旁路電容都是設C極大令其交流分析時短路接地，
如果Cs=0就開路了，這樣就沒電壓增益了。
(D)直流分析 VGD<=Vt 由於電流固定 若RD上升 則VGD上升
這樣會變得比較接近歐姆區
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KEVIN_HUGO
#3113466
(A)ID增加 gm增加 增益-gmRD增加
(C)W/L減少會使ID減少 VD 變大 趨近飽和
(D)RD增加 VD下降 趨近三極
(B)求高手解答
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