17 如圖之MOS差動放大器(differential amplifier),Q1=Q2,其臨界電壓(threshold voltage)Vt=0.5 V,爾利電壓(Early voltage)VA→∞。當VG1=VG2=0 時,若電晶體工作於飽和模式(saturation mode),其汲 極電流ID與閘源電壓VGS的關係為ID=2(VGS-Vt)2 (mA)。 則當VG1=VG2=0 時,RD之最大值可為多大,而仍可維持電晶體工作於飽和模式? 
(A)3 kΩ
(B)4 kΩ
(C)5 kΩ
(D)6 kΩ

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統計: A(10), B(6), C(31), D(4), E(0) #1074413

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#2231590
VG1=0V    飽和區  VG1D1...
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#2209431
求解~~~大大
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#2232758
感謝!!
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私人筆記#7678634
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題目解析:MOS 差動對在飽和模式下的...
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