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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47076
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19 右圖電路可執行何種邏輯運算?
(A)AND
(B) OR
(C) NAND
(D) NOR
答案:
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統計:
A(8), B(10), C(13), D(11), E(0) #1213835
詳解 (共 1 筆)
Kuyroiume
B1 · 2021/04/01
#4631161
列真值表 NMOS Gate H 通...
(共 83 字,隱藏中)
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相關試題
20 由 p-n 接面二極體所形成的太陽電池和光偵測器,在操作上最大的差異為何? (A)太陽電池在順偏操作,而光偵測器通常在逆偏操作(B)太陽電池需要較大逆向偏壓,而光偵測器通常需要較小的反偏(C)太陽電池需要產生光子,而光偵測器為接受光子(D)太陽電池消耗功率較小,而光偵測器較大
#1213836
21 下列那一種二極體具有穩壓功能? (A)隧道二極體(tunnel diode) (B)發光二極體(light emitting diode)(C)稽納二極體(Zener diode) (D)蕭特基二極體(Schottky diode)
#1213837
22 一般而言,下列何者為射極隨耦器(Emitter Follower)之性質? (A)電壓增益 ≈ 1 (B)電壓增益> 1 (C)電流增益 ≈ 1 (D)電流增益< 1
#1213838
23BJT直流工作特性曲線中,在順向作用區(forward active region)時其IC值會隨VCE值增加而微增,此乃因何 效應?(A)歐姆效應 (B)布朗克效應(Planck effect)(C)爾利效應(Early effect) (D)愛因斯坦效應(Einstein effect)
#1213839
24 某雙極性接面電晶體工作在VCE =10 V, IB =10 µA, IC =10 mA情況下,此電晶體之α值應為: (A) 0.968 (B) 0.976 (C) 0.989 (D) 0.999
#1213840
25 在雙極性接面電晶體中為了獲得整體特性的最佳設計,其射極(E)、基極(B)、集極(C)的摻雜濃度情 況應為:(A)E >B >C (B)C>B >E (C)B>E >C (D)B >C >E
#1213841
26 一負回授放大器的系統方塊圖如下所示,如與無回授放大器比較,下列何者不為此種系統具有之特性? (A)頻寬增加(B)雜訊減少(C)失真減少(D)增益增加
#1213842
27 如右圖所示電路,電晶體之β=100,在vs=0 時,IB約為: (A) 10 mA(B) 10μA(C) 5μA(D) 1μA
#1213843
28 如右圖所示電路,其中Vref >0 下列敘述何者為非? (A)當Vi > -Vref時,Vo為負飽和(B)當Vi < -Vref時,Vo為正飽和(C)當Vi + Vref > 0 時,Vo為負飽和(D)當Vi < Vref時,Vo為正飽和
#1213844
29 若右圖電路之輸入為一弦波,則輸出波型為: (A)弦波(C)方波 (C)三角波 (D)定電壓
#1213845
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