20 下圖中A為理想運算放大器，若R1＝1 kΩ，R2＝R4＝10 kΩ，R3＝200 Ω，則Vo/Vi為：(A)-520 (B)-620 (C)-720 (D)-820

20 下圖中A為理想運算放大器，若R₁＝1 kΩ，R₂＝R4＝10 kΩ，R₃＝200 Ω，則V_o/V_i為：

(A)-520
(B)-620
(C)-720
(D)-820

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統計： A(88), B(4), C(4), D(3), E(0) #852803

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V字白喵(臺鐵電務佐級)

B2 · 2018/03/05

#2655305

依據KCL(設VA為200Ω上面之節點電...

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pole~zero

B1 · 2015/12/02

#1210557

23 當雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）工作於順向作用區（Forward Active Region）時，集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加，其原因為何？ (A)射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄 (B)射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄 (C)集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄 (D)集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄

20 下圖中A為理想運算放大器，若R₁＝1 kΩ，R₂＝R4＝10 kΩ，R₃＝200 Ω，則V_o/V_i為：

(A)-520
(B)-620
(C)-720
(D)-820

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