20 圖所示電路中，BJT 之 VCE值約為： (A) 6.5 V (B) 7.4 V (C) 8.3 V (D) 9.2 V

20 圖所示電路中，BJT 之 V_CE值約為：

(A) 6.5 V
(B) 7.4 V
(C) 8.3 V
(D) 9.2 V

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統計： A(53), B(4), C(4), D(3), E(0) #852648

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Jacob Lin

B1 · 2017/10/25

#2460717

10*3/10=3V---VbbVE=3...

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學覽風采

B3 · 2019/03/23

#3258867

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16 對於動態隨機存取記憶體（DRAM）與靜態隨機存取記憶體（SRAM）工作方式比較的敘述，下列何者正確？ (A) DRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）會隨時間變化 (B) DRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構可隨時調整 (C) SRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）在無電源供應情形下也能靜態維持準位 (D) SRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變

20 圖所示電路中，BJT 之 VCE值約為： (A) 6.5 V (B) 7.4 V (C) 8.3 V (D) 9.2 V

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20 圖所示電路中，BJT 之 V_CE值約為：

(A) 6.5 V
(B) 7.4 V
(C) 8.3 V
(D) 9.2 V